[發明專利]一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構和制備方法

有效

• 申請號: 201410179240.2
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN103943711A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 賈河順;姜言森;方亮;劉興村;任現坤;張春艷;馬繼磊
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 于曉曉

1.一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構，其特征在于，N型硅襯底受光面設置有一層以上減反射層的疊層結構；N型硅襯底背光面為相互交替的N型層部分與P型層部分，N型層部分依次為N型硅襯底、減反射層，以及穿透減反射層與N型硅襯底接觸的電極；P型層部分依次為N型硅襯底、P型晶硅層、減反射層，以及穿透減反射層與P型晶硅層連接的電極。

2.根據權利要求1所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構，其特征在于，P型晶硅層、受光面或背光面的減反射層的厚度為1-5000nm。

3.根據權利要求1所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構，其特征在于，P型晶硅層厚度為0.2um，受光面的減反射層厚度為80nm，背光面的減反射層厚度為120nm。

4.根據權利要求1所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構，其特征在于，受光面或背光面的減反射層為SiO_x，Al₂O₃，SiN_x中的一種或幾種的疊層結構。

5.如權利要求1所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構的制備方法，其特征在于，依次包括以下步驟：

（1）在制絨后的N型硅襯底受光面沉積減反射層；

（2）背光面進行P型摻雜形成P型晶硅層；

（3）用掩膜版遮擋進行部分背面擴散層的蝕刻去除，使得P型晶硅層與N型硅襯底相互交替分布；

（4）在背光面進行減反射膜沉積；

（5）電極制備及燒結。

6.如權利要求1所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構的制備方法，其特征在于，依次包括以下步驟：

（1）在制絨后的硅襯底背光面進行P型摻雜形成P型晶硅層；

（2）用掩膜版遮擋進行部分背面擴散層的蝕刻去除，使得P型晶硅層與N型硅襯底相互交替分布；

（3）在受光面和背光面分別進行減反射膜沉積；

（4）電極制備及燒結。

7.根據權利要求5或6所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構的制備方法，其特征在于，掩膜版遮擋部分背光擴散層的蝕刻去除方法為：????????????????????????????????????????????????在需要蝕刻去除的P型晶硅層部分之外絲網印刷一層保護層，化學腐蝕去除未受保護部分，去除保護層，④去除受保護層保護部分的氧化硅層；P型摻雜的方法為高溫擴散摻雜或離子注入。

8.如權利要求1所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構的制備方法，其特征在于，依次包括以下步驟：

（1）在制絨后的硅襯底背光面進行局部P型摻雜形成P型晶硅層，使得P型晶硅層與N型硅襯底相互交替分布；

（2）在受光面和背光面分別進行減反射膜沉積；

（3）電極制備及燒結。

9.根據權利要求8所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構的制備方法，其特征在于，P型摻雜的方法為高溫擴散摻雜或離子注入。

10.根據權利要求8所述一種N型硅襯底背面接觸式太陽電池結構的制備方法，其特征在于，P型摻雜采用掩膜遮擋離子注入的方法。