[發(fā)明專利]用于場發(fā)射器件的二硫化鉬薄膜的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410176131.5
• 申請日: 2014-04-29
• 公開（公告）號: CN103924213A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳華強;袁碩果;李寒;錢鶴
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/30
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種用于場發(fā)射器件的二硫化鉬薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供硫蒸氣；

將所述硫蒸氣吹入置有襯底和MoO₃粉末的反應(yīng)腔，以使所述MoO₃粉末與所述硫蒸氣反應(yīng)生成氣態(tài)的MoO_x并沉積到所述襯底上，其中2≤x＜3；

向所述反應(yīng)腔中繼續(xù)通入所述硫蒸氣，先將所述反應(yīng)腔加熱到預(yù)設(shè)反應(yīng)溫度持續(xù)預(yù)設(shè)反應(yīng)時間，然后將所述反應(yīng)腔降溫至室溫，以使所述硫蒸氣與所述MoO_x在所述襯底表面形成先平面生長后垂直生長的二硫化鉬薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)反應(yīng)溫度為600-900℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)反應(yīng)時間為5-30min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述硫蒸汽通過硫粉升華得到。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，通過載氣將所述硫蒸汽吹入所述反應(yīng)腔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述載氣為高純氮氣、高純惰性氣體或摻雜氫氣的惰性氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述載氣的流速為1-100sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫蒸汽的吹入口與所述MoO₃粉末所在位置的距離為5-30cm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的方法，其特征在于，所述降溫過程中的降溫速度為5-200℃/min。