[發明專利]一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀有效
| 申請號: | 201410174662.0 | 申請日: | 2014-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103956907B | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 汪月銀 | 申請(專利權)人: | 深圳市神視檢驗有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H02M7/5387;H02M3/155;G01N27/84 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 鄧猛烈,胡彬 |
| 地址: | 518054 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 探傷 電源 處理 電路 | ||
技術領域
本發明涉及磁粉探傷設備技術領域,尤其涉及一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀。
背景技術
目前市場上的磁粉探傷儀,主要分為交流磁粉探傷儀和直流磁粉探傷儀兩種。交流磁粉探傷儀一般產生50HZ交流磁場,用于檢測工件表面和近表面的缺陷,對工件深埋缺陷的檢測能力比較弱。直流磁粉探傷儀一般產生直流磁場,用于檢測工件的深埋缺陷,對工件表面和近表面缺陷的檢測能力比較弱。所以,若要對一工件進行全面檢測,常常需要用交流磁粉探傷儀檢測一遍工件表面和近表面的缺陷,再用直流磁粉探傷儀檢測一遍工件深埋的缺陷,導致整個探傷檢測的周期長且操作繁瑣。
發明內容
本發明的目的在于提出一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀,集成了直流和交流兩種探傷工作模式,可在不更換探傷儀的前提下對工件進行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測,操作簡單且使用方便。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
第一方面,提供一種磁粉探傷儀電源處理電路,包括升壓電路、控制電路和H橋電路,所述控制電路和H橋電路連接,所述H橋電路還和升壓電路連接,所述控制電路控制H橋電路的輸出波形,以便H橋電路輸出0~60Hz的電壓頻率信號。
其中,所述電壓頻率信號包括直流電壓頻率信號、交流定頻電壓頻率信號和15~50Hz交流掃頻電壓頻率信號。
其中,所述升壓電路包括SG2525AP芯片U1,所述SG2525AP芯片U1上設置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳;
所述第1管腳的第一路依次通過電阻R10和電容C7連接第9管腳,所述第1管腳的第二路通過電容C13接地,所述第1管腳的第三路連接電阻R19的一端的第一路,所述第2管腳的第一路通過電阻R17接地,所述第2管腳的第二路連接電阻R14的一端,所述第3管腳懸空,所述第4管腳懸空,所述第5管腳的第一路通過電容C12接地,所述第5管腳第二路通過電阻R16連接第7管腳,所述第6管腳通過電阻R13接地,所述第8管腳通過電容C11接地,所述第10管腳的第一路通過電阻R1接地,所述第10管腳的第二路通過電容C1接地,所述第10管腳的第三路通過電阻R2連接SHD端,所述第11管腳的第一路連接電阻R11的一端,所述第11管腳的第二路連接電阻R12的一端,所述第12管腳接地,所述第13管腳的第一路連接電源BAT+端,所述第13管腳的第二路通過電容C4接地,所述第13管腳的第三路通過電容C5接地,所述第14管腳的第一路連接電阻R3的一端,所述第14管腳的第二路連接電阻R4的一端,所述第15管腳連接電源BAT+端,所述第16管腳連接電阻R14的另一端的第一路;
電阻R14的另一端的第二路通過電容C9接地,電阻R14的另一端的第三路通過電容C10接地,所述電阻R11的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場效應管Q3的柵極,所述電阻R11的另一端的第二路連接電阻R8的一端,電阻R8的另一端接地,MOS場效應管Q3的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場效應管Q4的漏極,MOS場效應管Q3的漏極的第二路連接電容C8的一端,MOS場效應管Q3的漏極的第三路連接變壓器的第一電壓輸入端,MOS場效應管Q3的源極接地,所述電阻R12的另一端的第一路連接MOS場效應管Q4的柵極,所述電阻R12的另一端的第二路連接電阻R9的一端,電阻R9的另一端接地,MOS場效應管Q4的源極接地,所述電阻R3的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場效應管Q1的柵極,所述電阻R3的另一端的第二路連接電阻R5的一端,電阻R5的另一端接地,MOS場效應管Q1的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場效應管Q2的漏極,MOS場效應管Q1的漏極的第二路連接電阻R7的一端,MOS場效應管Q1的漏極的第三路連接變壓器的第二電壓輸入端,MOS場效應管Q1的源極接地,所述電阻R4的另一端的第一路連接MOS場效應管Q2的柵極,所述電阻R4的另一端的第二路連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端接地,MOS場效應管Q2的源極接地,電阻R7的另一端和電容C8的另一端連接;
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