[發(fā)明專利]一種記憶存儲器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410172981.8
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN103928611B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江林;張軍昌
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司32103
• 代理人: 項麗

1.一種記憶存儲器，其特征在于：它包括半導(dǎo)體基板、相隔設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的兩個電極、連接兩個電極的薄膜層，所述的薄膜層由包覆有導(dǎo)電聚合物的貴金屬納米粒子組成；所述導(dǎo)電聚合物的厚度為3nm；所述半導(dǎo)體基板上涂覆有光刻膠層，所述光刻膠層上設(shè)有與電極及薄膜層相對應(yīng)的空腔；所述的導(dǎo)電聚合物為聚吡咯，所述的貴金屬納米粒子為納米金。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶存儲器，其特征在于：所述電極與半導(dǎo)體基板間鍍有金屬鉻層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的記憶存儲器，其特征在于：所述的金屬鉻層厚度為3~8納米，所述的電極厚度為15~30納米，所述的貴金屬納米粒子直徑為10~15納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的記憶存儲器，其特征在于：所述兩個電極的間隔為2~5微米。

5.一種權(quán)利要求1中所述記憶存儲器的制備方法，包括以下步驟：

（a）在半導(dǎo)體基板上旋涂一層光刻膠，置于80~120℃下加熱3~5分鐘后在光刻膠上刻出空腔；

（b）在所述的空腔內(nèi)沉積金屬形成相隔的兩個電極；

（c）在反應(yīng)容器中依次加入去離子水、三氯化鐵溶液、導(dǎo)電聚合物單體溶液，反應(yīng)10~60分鐘后加入貴金屬納米粒子溶液，離心得貴金屬納米粒子/導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料；

（d）將所述的貴金屬納米粒子/導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料用去離子水稀釋后滴入所述相隔的兩個電極之間，蒸發(fā)除水形成薄膜層即可。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟（b）中，在空腔內(nèi)沉積金屬形成相隔的兩個電極前先沉積形成金屬鉻層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶存儲器的制備方法，其特征在于：步驟（c）中，所述的貴金屬納米粒子溶液為在貴金屬納米粒子前驅(qū)體溶液中加入還原劑反應(yīng)后離心得到的上清液。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶存儲器的制備方法，其特征在于：步驟（c）中，所述貴金屬納米粒子、三氯化鐵、導(dǎo)電聚合物單體的質(zhì)量比1~2：3×10⁴~6×10⁴：1×10²~1×10³。