[發明專利]一種用于制備太陽電池的硅片磷鋁聯合變溫吸雜方法

無效

• 申請號: 201410169980.8
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN103928573A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 趙穎;王奉友;張曉丹;姜元建;魏長春;許盛之
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種用于制備太陽電池的硅片磷鋁變溫吸雜方法，其特征在于包括以下步驟：

1）去損傷層：配制濃度為10-15wt%的NaOH溶液，采用水浴加熱的方式使溶液恒溫在80℃，將襯底硅片放入溶液中8-15min以去除由于線鋸切割硅片所導致的硅損傷層，將硅片取出后用去離子水清洗3min；

2）清洗：將上述去損傷層的硅片放入25℃的丙酮溶液中超聲清洗5min，取出后用去離子水清洗3min，然后再將樣品放入25℃的無水乙醇中超聲清洗5min，取出后用去離子水清洗3min，用氮氣吹干備用；

3）涂覆磷源：將上述清洗后的硅片吸附在勻膠機上，通過旋涂的方式在硅片正反兩面涂覆厚度為1-2μm的磷源，勻膠機轉速為1500-2200?r/min，旋涂時間為20-30s，然后放入熱處理爐中干燥，干燥溫度為100-150℃，干燥時間為10-15min；

4）蒸鍍鋁膜：將雙面涂覆有磷源的硅片放置于真空鍍膜機中，在620-700℃溫度下在其正反兩面蒸鍍一層厚度為0.5-2μm的鋁膜；

5）一次吸雜：將上述蒸鍍鋁膜后的硅片放入熱處理爐中在氮氣氣氛保護下進行熱處理，熱處理溫度為850-950℃，熱處理時間為25-65min；

6）二次吸雜：將一次吸雜后的硅片放入氮氣氣氛保護下熱處理，熱處理溫度為700-800℃，熱處理時間為40-80min；

7）將二次吸雜后的硅片冷卻至室溫后，放入濃度為49wt%的氫氟酸和濃度為65wt%的硝酸的混合液中腐蝕以去除吸雜層，氫氟酸和硝酸的混合液中氫氟酸與硝酸的體積比為1:2-4，腐蝕時間為40-70s。

2.根據權利要求1所述用于制備太陽電池的硅片磷鋁變溫吸雜方法，其特征在于：所述襯底硅片為單晶硅或多晶硅，摻雜類型可為N型或P型。

3.根據權利要求1所述用于制備太陽電池的硅片磷鋁變溫吸雜方法，其特征在于：所述磷源為三氯氧磷、三甲基磷、三乙基磷、五氧化二磷或二乙基氫化磷。