[發(fā)明專利]閃爍體陣列及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410169914.0 | 申請日： | 2014-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN105093254B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 秦海明;肖哲鵬;蔣俊;江浩川 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | G01T1/20 | 分類號： | G01T1/20 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 315201 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基元 閃爍體 閃爍體陣列 制備 拼接 基質(zhì) 機械切割 激活離子 陣列結構 制備過程 成型 摻雜 陶瓷 | ||
1.一種閃爍體陣列的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
利用基元制備模具制備多個閃爍體基元生坯，將所述多個閃爍體基元生坯燒結后，得到多個閃爍體基元，每個所述閃爍體基元包括基質(zhì)和摻雜于所述基質(zhì)中的激活離子，所述基質(zhì)的材質(zhì)為第一陶瓷；
利用載體制備模具制備基元載體生坯，所述制備的基元載體生坯上有多個呈陣列結構排列且與所述閃爍體基元的大小相匹配的凹坑；
分別將所述多個閃爍體基元置于所述多個凹坑中，每個所述閃爍體基元對應一個所述凹坑，得到裝配好的閃爍體基元和基元載體生坯；及
將所述裝配好的閃爍體基元和基元載體生坯進行燒結，所述基元載體生坯燒結后形成所述基元載體，所述基元載體的材質(zhì)為第二陶瓷，所述多個閃爍體基元拼接于所述基元載體上，得到閃爍體陣列。
2.根據(jù)權利要求1所述的閃爍體陣列的制備方法，其特征在于，所述基質(zhì)的材質(zhì)為Lu2O3透明陶瓷、Lu3Al5O12透明陶瓷、Y2O3透明陶瓷、Y3Al5O12透明陶瓷、(GdxLu1-x)3(AlyGa1-y)5O12透明陶瓷、(YaLubGdc)2O3透明陶瓷、Gd2O2S透明陶瓷及(CaxMg1-x)3(ScyLu1-y)2Si3O12透明陶瓷中的一種或幾種；
所述激活離子選自Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu2+、Dy2+、Ho2+、Er2+、Tm2+、Ti2+、Cr2+及Mn2+中的一種；
其中，0<x<1，0<y<1；0<a<1，0<b<1，0<c<1，且a+b+c＝1；所述激活離子的摩爾量為所述基質(zhì)的摩爾量的0.00005％～10％。
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