[發明專利]一種高靈敏度的納米氧化鈷摻雜的異戊巴比妥分子印跡電化學傳感器及其制備方法

有效

• 申請號: 201410169714.5
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN103926288A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 余會成;李浩;韋貽春;雷福厚;譚學才;陳其鋒
• 申請（專利權）人: 廣西民族大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高靈敏度的納米氧化鈷摻雜的異戊巴比妥分子印跡電化學傳感器及其制備方法，其特征在于以異戊巴比妥為模板分子(0.01mmol/mL～0.04mmol/ml)、20(s)-O-雄甾-4-烯-17β-酰基喜樹堿為功能單體(0.1mmol/ml～0.2mmol/ml)、偶氮二異丁腈為引發劑(0.05mmol/ml)、以馬來松香丙烯酸乙二醇酯為交聯劑(0.35mmol/ml)、納米氧化鈷為摻雜劑(0.0010g/ml～0.0020g/ml)，在玻碳電極表面形成一種雜化納米氧化鈷異戊巴比妥分子印跡聚合物薄膜，然后采用洗脫劑甲酸和異丙醇混合溶劑洗脫模板分子即得；具體按以下操作進行：?

<1>向10.0mL溶劑乙醇中，依次加入0.1mmol～0.4mmol模板分子異戊巴比妥、1.0mmol～2mmol功能單體20(s)-O-雄甾-4-烯-17β-酰基喜樹堿、3.5mmol交聯劑馬來松香丙烯酸乙二醇酯、0.5mmol引發劑偶氮二異丁腈及0.0100g～0.0200g的納米氧化鈷，每加入一種化學試劑超聲波溶解8分鐘；?

<2>取步驟<1>的混合物5μL涂于干凈光滑的玻碳電極表面。放置5小時后，將修飾后的電極置于82℃的真空干燥箱內熱聚合2小時，然后采用洗脫劑甲酸和異丙醇混合溶劑(摩爾比5∶6)將模板分子洗脫，即得。?