[發明專利]稀土類磁體及其制造方法有效
| 申請號： | 201410168608.5 | 申請日： | 2014-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN104124016B | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 橋野早人;辻隆之;梶并佳朋;吉川紀夫;小川宏二 | 申請（專利權）人： | 株式會社五合 |
| 主分類號： | H01F1/053 | 分類號： | H01F1/053;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 稀土 磁體 及其 制造 方法 | ||
1.一種稀土類磁體，其包括稀土類磁體本體和設置在所述稀土類磁體本體的表面上的保護層，
其中，在所述保護層中，薄片分散于由固體堿金屬硅酸鹽制成的基體中，所述薄片具有比所述基體的硬度更高的硬度并且具有200℃以上的熔點；
所述薄片由二氧化硅、天然玻璃或者二氧化硅與天然玻璃的混合物制成。
2.根據權利要求1所述的稀土類磁體，其中所述薄片由二氧化硅制成。
3.根據權利要求1所述的稀土類磁體，其中所述基體包含Al2O3和B2O3的任意之一或兩者。
4.根據權利要求2所述的稀土類磁體，其中所述基體包含Al2O3和B2O3的任意之一或兩者。
5.根據權利要求3所述的稀土類磁體，其中所述保護層具有包括外側層和內側層的兩層結構，
其中，在所述外側層中，所述基體包含B2O3但不包含Al2O3，和
其中，在所述內側層中，所述基體包含B2O3和Al2O3。
6.根據權利要求4所述的稀土類磁體，其中所述保護層具有包括外側層和內側層的兩層結構，
其中，在所述外側層中，所述基體包含B2O3但不包含Al2O3，和
其中，在所述內側層中，所述基體包含B2O3和Al2O3。
7.根據權利要求1所述的稀土類磁體，其進一步包括設置在所述稀土類磁體本體與所述保護層之間的底層，
其中所述底層含有包含于所述稀土類磁體本體內的稀土類元素的氧化物，或者所述稀土類元素和其它元素的合金的氧化物。
8.根據權利要求2所述的稀土類磁體，其進一步包括設置在所述稀土類磁體本體與所述保護層之間的底層，
其中所述底層含有包含于所述稀土類磁體本體內的稀土類元素的氧化物，或者所述稀土類元素和其它元素的合金的氧化物。
9.根據權利要求3所述的稀土類磁體，其進一步包括設置在所述稀土類磁體本體與所述保護層之間的底層，
其中所述底層含有包含于所述稀土類磁體本體內的稀土類元素的氧化物，或者所述稀土類元素和其它元素的合金的氧化物。
10.根據權利要求4所述的稀土類磁體，其進一步包括設置在所述稀土類磁體本體與所述保護層之間的底層，
其中所述底層含有包含于所述稀土類磁體本體內的稀土類元素的氧化物，或者所述稀土類元素和其它元素的合金的氧化物。
11.根據權利要求5所述的稀土類磁體，其進一步包括設置在所述稀土類磁體本體與所述保護層之間的底層，
其中所述底層含有包含于所述稀土類磁體本體內的稀土類元素的氧化物，或者所述稀土類元素和其它元素的合金的氧化物。
12.根據權利要求6所述的稀土類磁體，其進一步包括設置在所述稀土類磁體本體與所述保護層之間的底層，
其中所述底層含有包含于所述稀土類磁體本體內的稀土類元素的氧化物，或者所述稀土類元素和其它元素的合金的氧化物。
13.根據權利要求1-12任一項所述的稀土類磁體，其中所述保護層具有0.5μm-50μm的厚度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社五合，未經株式會社五合許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410168608.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種W-Cu合金封裝材料的整平裝置
- 下一篇：轉爐升降煙罩松繩保護裝置
