[發明專利]一種LED的GaN外延片表面粗化工藝有效
| 申請號： | 201410168481.7 | 申請日： | 2014-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN103996754B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發明（設計）人： | 章曉霞 | 申請（專利權）人： | 章曉霞 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 322000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led gan 外延 表面 化工 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED的GaN外延片表面粗化工藝，包括以下步驟：
(1)將GaN外延片表面進行ICP刻蝕，ICP的功率為150-200W，直流自偏壓為100V，使用O2，Cl2和He感應耦合等離子體刻蝕，其中O2，Cl2和He的流量比為2∶2∶1，使得刻蝕后的GaN表面的粗糙度RMS為0.15-0.18nm；
(2)將GaN外延片清洗：依次放入CCl4、丙酮各超聲清洗1-2分鐘、酒精超聲清洗2-3分鐘，去離子水中進行超聲清洗2-3分鐘；
(3)將GaN外延片使用微波加熱預熱1分鐘使得溫度達到200-220攝氏度，后將加熱到熔融狀態的KOH均勻涂抹在GaN外延片表面，微波加熱使溫度穩定在250攝氏度，持續腐蝕1.2分鐘；
(4)撤去微波加熱，自然冷卻到室溫；
(5)用去離子水清洗GaN外延片表面的KOH。
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