[發(fā)明專利]多層封裝薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410168188.0 | 申請日: | 2014-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN104134756A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙成珉;鄭昊均;蔡熙燁;徐祥準(zhǔn);徐昇旴 | 申請(專利權(quán))人: | 成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán) |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 李獻(xiàn)忠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 封裝 薄膜 | ||
1.一種多層封裝薄膜,所述多層封裝薄膜包含:
無機(jī)薄膜,所述無機(jī)薄膜含有金屬氧化物;以及有機(jī)薄膜,所述有機(jī)薄膜含有聚合物,并且所述有機(jī)薄膜在所述無機(jī)薄膜上形成,
其中,所述無機(jī)薄膜和所述有機(jī)薄膜以多層結(jié)構(gòu)形式交替堆疊。
2.如權(quán)利要求1所述的多層封裝薄膜,其中,所述金屬氧化物包含選自下述群組中的成員:氧化鋁、氧化鋯、氧化鋅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅以及它們的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的多層封裝薄膜,其中,所述聚合物包含選自下述群組中的成員:等離子體聚合物、丙烯酸聚合物以及它們的組合。
4.如權(quán)利要求3所述的多層封裝薄膜,其中,所述等離子體聚合物包含選自下述群組中的成員:六甲基二硅氧烷、呋喃、己烷以及它們的組合。
5.如權(quán)利要求3所述的多層封裝薄膜,其中,所述丙烯酸聚合物包含選自下述群組中的成員:丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚烷基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、乙烯-丙烯酸共聚物以及它們的組合。
6.如權(quán)利要求1所述的多層封裝薄膜,其中,單層所述無機(jī)薄膜的厚度為0.1nm至20nm。
7.如權(quán)利要求1所述的多層封裝薄膜,其中,單層所述有機(jī)薄膜的厚度為20nm至2μm。
8.如權(quán)利要求1所述的多層封裝薄膜,其中,所述多層結(jié)構(gòu)包括2對至200對所述無機(jī)薄膜和所述有機(jī)薄膜。
9.一種制備多層封裝薄膜的方法,所述方法包括:
在基底上形成含有金屬氧化物的無機(jī)薄膜;以及
在所述無機(jī)薄膜上形成含有聚合物的有機(jī)薄膜,
其中,在所述基底上形成所述無機(jī)薄膜和在所述無機(jī)薄膜上形成含有所述聚合物的所述有機(jī)薄膜交替進(jìn)行,從而使所述無機(jī)薄膜和所述有機(jī)薄膜交替堆疊。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述無機(jī)薄膜的形成通過原子層沉積實(shí)施。
11.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述有機(jī)薄膜的形成通過化學(xué)氣相沉積或原子層沉積實(shí)施。
12.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述有機(jī)薄膜的形成通過在所述無機(jī)薄膜上涂覆丙烯酸單體然后對該涂覆層進(jìn)行UV-固化實(shí)施。
13.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述無機(jī)薄膜的形成和/或所述有機(jī)薄膜的形成在約20℃至約120℃的溫度下實(shí)施。
14.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述原子層沉積包括在移動的基底上以空間方式排列所述無機(jī)薄膜的原材料。
15.一種制造多層封裝薄膜的裝置,所述裝置包括:
基底裝載單元,基底裝載在所述基底裝載單元上;
在所述基底上沉積無機(jī)薄膜的無機(jī)薄膜沉積單元;以及
在所述無機(jī)薄膜上沉積有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜沉積單元,
其中,所述無機(jī)薄膜沉積單元和所述有機(jī)薄膜沉積單元按順序彼此連接,所述基底裝載單元交替移至所述無機(jī)薄膜沉積單元和所述有機(jī)薄膜沉積單元,從而使所述無機(jī)薄膜和所述有機(jī)薄膜交替沉積在所述基底上。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置,其中,所述有機(jī)薄膜沉積單元還包含UV固化單元。
17.如權(quán)利要求15所述的裝置,其中,通過一個以上連接件將多個無機(jī)薄膜沉積單元按順序連接至所述有機(jī)薄膜沉積單元。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置,其中,所述多個無機(jī)薄膜沉積單元和所述有機(jī)薄膜沉積單元交替排列。
19.如權(quán)利要求17所述的裝置,其中,所述有機(jī)薄膜沉積單元排列在按順序連接的單元的末端。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán),未經(jīng)成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410168188.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





