[發明專利]石墨烯薄膜生長用銅箔的處理方法及該方法制備的銅箔

有效

• 申請號: 201410164674.5
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN105018897B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 金虎;鄧科文;劉志成;彭鵬;張志華;張文國;楊海濤;張旭磊;齊軒
• 申請（專利權）人: 常州二維碳素科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C25F3/22;B08B7/00
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1.一種石墨烯薄膜生長用銅箔的處理方法，包括如下步驟：

（1）等離子預處理：該處理過程分兩步進行，首先，將剪裁好的銅箔坯料置于真空等離子清洗機中，通一定流量的氧氣，進行第一次等離子除污處理；然后，將等離子清洗機抽真空，然后通入一定流量的氫氣，進行第一次等離子去氧化層處理；

（2）將已除去氧化層的銅箔坯料進行電化學拋光后；

（3）再次進行等離子處理，以得到所述石墨烯薄膜生長用銅箔。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述步驟（1）和步驟（3）中的等離子去氧化層處理的方法為：通過還原性氣體離化成具有還原性的等離子體，以除去所述銅箔坯料的表面氧化層。

3.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，進行所述步驟（1）的去氧化層處理時，進入等離子體發生器的還原性氣體的流量不小于50sccm，等離子處理時間不少于100s 。

4.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，進行所述步驟（3）的等離子去氧化層處理時，進入等離子體發生器的還原性氣體的流量不小于100sccm，等離子處理時間不少于120s 。

5.根據權利要求1-4任一所述的處理方法，其特征在于，所述步驟（2）中電化學拋光的方法包括：將已除去氧化層的銅箔坯料作為陽極浸泡于電解液中，通電使陽極溶解；其中，所述電解液包括：磷酸體積濃度55%-70%，乙醇和/或丙酮的體積濃度5%-10%，乙酸和/或硫酸的體積濃度2%-5%，其余為水。

6.根據權利要求1或2所述的處理方法，其特征在于，所述處理方法還包括：對電化學拋光后的銅箔坯料進行清洗后，再利用惰性氣體對該銅箔坯料進行吹干；或，在惰性氣體保護下烘干。

7.一種石墨烯薄膜生長用銅箔，其特征在于，所述石墨烯薄膜生長用銅箔由權利要求1所述的石墨烯薄膜生長用銅箔的處理方法制成。