[發(fā)明專(zhuān)利]一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410164144.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104008992A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何文蔚 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 并行 設(shè)備 吸附 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種并行(Multi?site)設(shè)備的吸附晶圓(Wafer)裝置及吸附晶圓的方法。
背景技術(shù)
目前Multi?site設(shè)備中的吸盤(pán)(Chuck)吸放晶圓是人工手動(dòng)開(kāi)關(guān)廠務(wù)真空閥門(mén)1(如圖1所示),實(shí)現(xiàn)吸放晶圓。在吸放晶圓的過(guò)程中,設(shè)備端真空開(kāi)關(guān)2處于失效狀態(tài),通過(guò)控制廠務(wù)真空閥門(mén)1來(lái)實(shí)現(xiàn)吸附或釋放晶圓的目的。采用開(kāi)關(guān)廠務(wù)真空閥門(mén)1的這種方式存在的缺點(diǎn)有:由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求,從而致使該設(shè)備端真空開(kāi)關(guān)2切到開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)并不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓;由于廠務(wù)真空閥門(mén)1在機(jī)臺(tái)背面,因此工作人員無(wú)法觀察到,吸盤(pán)上晶圓吸放的情況,給晶圓的吸放帶來(lái)不便;廠務(wù)真空閥門(mén)1多次開(kāi)關(guān)會(huì)造成閥門(mén)的損壞,并且如果閥門(mén)未全部關(guān)閉或開(kāi)啟狀態(tài),工作人員也無(wú)法直接觀察到,從而導(dǎo)致晶圓的破片。
中國(guó)專(zhuān)利(CN101635268B)公開(kāi)了一種改進(jìn)型半導(dǎo)體晶片真空夾持吸盤(pán),包括吸盤(pán)、箱體座、電機(jī)、管路、電磁閥,所述吸盤(pán)的中部開(kāi)有圓槽,所述電機(jī)輸出端連接所述吸盤(pán)的夾持端,所述電機(jī)為普通電機(jī),所述圓槽的中心位置開(kāi)有軸向盲孔,所述吸盤(pán)的夾持端中部徑向開(kāi)有一水平傾斜通孔,所述通孔與所述盲孔貫通,所述通孔內(nèi)裝有真空發(fā)生器,所述真空發(fā)生器的真空口連通所述盲孔,所述真空發(fā)生器的供氣口連通外部的壓縮空氣相連通,所述真空發(fā)生器的排氣口連通外界空氣。
該專(zhuān)利結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,且設(shè)備成本低。但并沒(méi)有解決由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求,從而致使不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓的問(wèn)題。
中國(guó)專(zhuān)利(CN201868413U)公開(kāi)了一種吸附晶片裝置,該裝置設(shè)有機(jī)械手指、吸附槽,吸附槽與真空孔連通,吸附槽與真空孔均嵌入機(jī)械手指表面,真空孔與機(jī)械手指內(nèi)的真空通道連接,晶片放在機(jī)械手指上。
該專(zhuān)利設(shè)有透氣孔、E字吸附槽,通過(guò)設(shè)于真空孔旁連接的E字吸附槽加大對(duì)晶片的真空吸附力,同時(shí)增加透氣孔可減小晶片與手指接觸的阻力,可增大真空吸附力,增加晶片傳遞穩(wěn)定性。但并沒(méi)有解決由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求,從而致使不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決由于廠務(wù)端真空壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)備廠商對(duì)于真空壓力的需求,從而致使不能放開(kāi)吸盤(pán)上的晶圓的問(wèn)題,從而提供一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法的技術(shù)方案。
本發(fā)明所述一種并行設(shè)備的吸附晶圓裝置,包括:廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路、真空通道和吸盤(pán),所述吸盤(pán)設(shè)置于所述真空通道的一端,所述廠務(wù)真空管路、設(shè)備真空管路和真空通道連通,所述設(shè)備真空管路的管路直徑大于或等于所述廠務(wù)真空管路的管路直徑。
優(yōu)選的,還包括:第一真空閥門(mén),所述第一真空閥門(mén)設(shè)置于所述廠務(wù)真空管路上。
優(yōu)選的,還包括:第二真空閥門(mén),所述第二真空閥門(mén)設(shè)置于所述設(shè)備真空管路上,用以控制所述吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放。
優(yōu)選的,所述第一真空閥門(mén)采用的材料為工程塑料。
優(yōu)選的,所述第二真空閥門(mén)采用的材料為不銹鋼材料。
一種吸附晶圓裝置吸附晶圓的方法,采用所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置,當(dāng)所述吸附晶圓裝置處于吸附晶圓狀態(tài)時(shí),所述第一真空閥門(mén)處于常開(kāi)狀態(tài),關(guān)閉所述第二真空閥門(mén),所述真空通道內(nèi)的氣流吸力變大,晶圓被吸附于吸盤(pán)表面;當(dāng)所述吸附晶圓裝置處于未吸附晶圓狀態(tài)時(shí),所述第一真空閥門(mén)處于常開(kāi)狀態(tài),開(kāi)啟所述第二真空閥門(mén),所述真空通道內(nèi)的氣流吸力變小,吸盤(pán)釋放所述晶圓。
本發(fā)明的有益效果:
本發(fā)明通過(guò)改變?cè)O(shè)備真空管路的管路直徑,以及控制第二真空閥門(mén)的開(kāi)啟和關(guān)閉實(shí)現(xiàn)吸盤(pán)吸放晶圓的目的。第二真空閥門(mén)可以使工作人員近距離的觀察吸盤(pán)對(duì)晶圓的吸放情況,便于工作人員操作,從而提高設(shè)備利用率。第二真空閥門(mén)可以反復(fù)多次使用,而不會(huì)損壞,降低晶圓的破片率。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有的吸附晶圓裝置的示意圖;
圖2為本發(fā)明所述并行設(shè)備的吸附晶圓裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中:1.廠務(wù)真空閥門(mén);2.設(shè)備端真空開(kāi)關(guān);3.第一真空閥門(mén);4.廠務(wù)真空管路;5.吸盤(pán);6.真空通道;7.設(shè)備真空管路;8.第二真空閥門(mén)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明,但不作為本發(fā)明的限定。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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