[發明專利]一種并行設備的吸附晶圓裝置及吸附晶圓的方法

在審

• 申請號: 201410164144.0
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN104008992A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 何文蔚
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種并行設備的吸附晶圓裝置，包括：廠務真空管路、設備真空管路、真空通道和吸盤，所述吸盤設置于所述真空通道的一端，所述廠務真空管路、設備真空管路和真空通道連通，其特征在于，所述設備真空管路的管路直徑大于或等于所述廠務真空管路的管路直徑。

2.如權利要求1所述并行設備的吸附晶圓裝置，其特征在于，還包括：第一真空閥門，所述第一真空閥門設置于所述廠務真空管路上。

3.如權利要求2所述并行設備的吸附晶圓裝置，其特征在于，還包括：第二真空閥門，所述第二真空閥門設置于所述設備真空管路上，用以控制所述吸盤對晶圓的吸放。

4.如權利要求2所述并行設備的吸附晶圓裝置，其特征在于，所述第一真空閥門采用的材料為工程塑料。

5.如權利要求3所述并行設備的吸附晶圓裝置，其特征在于，所述第二真空閥門采用的材料為不銹鋼材料。

6.一種吸附晶圓裝置吸附晶圓的方法，其特征在于，采用如權利要求3所述并行設備的吸附晶圓裝置，當所述吸附晶圓裝置處于吸附晶圓狀態時，所述第一真空閥門處于常開狀態，關閉所述第二真空閥門，所述真空通道內的氣流吸力變大，晶圓被吸附于吸盤表面；當所述吸附晶圓裝置處于未吸附晶圓狀態時，所述第一真空閥門處于常開狀態，開啟所述第二真空閥門，所述真空通道內的氣流吸力變小，吸盤釋放所述晶圓。