[發明專利]防塵薄膜組件以及安裝該防塵薄膜組件的光掩模有效
| 申請號: | 201410163552.4 | 申請日: | 2014-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN104111582B | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發明(設計)人: | 関原一敏 | 申請(專利權)人: | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防塵薄膜組件 光掩模 防塵薄膜組件框架 彈性體層 防塵薄膜 連接部件 可信性 密封性 陰螺紋 側端 角部 壓扁 裝卸 變形 | ||
提供一種安裝防塵薄膜組件后的光掩模的變形小,而且防塵薄膜組件的裝卸容易,且可信性高的防塵薄膜組件以及安裝該防塵薄膜組件的光掩模。本發明的防塵薄膜組件40為,由至少具有4個邊的防塵薄膜組件框架10構成,在防塵薄膜組件框架10的至少4處的角部上,設置從光掩模70側端面向設置防塵薄膜42的端面的陰螺紋11,另外,該防塵薄膜組件40的光掩模70側的端面,設置彈性體層43。然后,此彈性體層43,在該防塵薄膜組件40被用連接部件101安裝在光掩模70上的場合,被壓扁,與光掩模70表面的接觸寬為0.3~1.0mm的范圍,由此,防塵薄膜組件40和光掩模70之間的密封性良好。
技術領域
本發明涉及在半導體設備、IC封裝體、印刷基板、液晶顯示器以及有機EL顯示器等的制造中作為防塵器使用的防塵薄膜組件以及安裝該防塵薄膜組件的光掩模。
背景技術
在LSI,超LSI等的半導體或液晶顯示器等的制造中,要向半導體晶片或液晶用玻璃板進行紫外光照射以進行圖案的作制,此時如果在光掩模上附著灰塵,該灰塵就會將紫外光遮擋,由于紫外光反射,就會發生轉印的圖案的變形等,從而發生品質的損害的問題。
為此,這樣的操作為通常無塵室中進行,即使如此,也很難經常保持光掩模的經常清潔。由此,要在光掩模表面上貼附作為防塵器的防塵薄膜組件后進行曝光。在該場合,異物不在光掩模的表面上直接附著,而是在防塵薄膜組件上附著,在光刻時只要將焦點對準光掩模的圖案,防塵薄膜組件上的異物就與轉印無關系了。
一般,防塵薄膜組件為,將由光良好透過的硝化纖維素,乙酸纖維素或氟樹脂等構成的透明的防塵薄膜貼附于由鋁,不銹鋼等構成的防塵薄膜組件框架的上端面而成。另外,防塵薄膜組件框架的下端,具有為了安裝在光掩模上的聚丁烯樹脂,聚乙酸乙烯基樹脂,丙烯酸樹脂,硅酮樹脂等構成的粘著層以及對粘著層進行保護的離型層(分離物)。
近年,伴隨在曝光圖案的細微化,由于防塵薄膜組件的貼附而造成的光掩模的變形成為問題。如光掩模和薄膜組件框架通過光掩模粘著材進行連接,防塵薄膜組件框架的形狀就會給光掩模的形狀以影響,光掩模表面描繪的圖案就會發生變形。
由此,以往有多種解決方案。例如,在專利文獻1中,記載了使防塵薄膜組件框架的向光掩模貼附側的平坦度為30μm以下,且該防塵薄膜組件框架的防塵薄膜側的平坦度為15μm以下,從而達到使光掩模的變形小的效果。
另外,專利文獻2中,記載了通過將貼附于光掩模的防塵薄膜組件的粘著劑的厚度和彈性率規定為所望值,來將防塵薄膜組件框架端面的凹凸用粘著劑層進行吸收,從而充分保持光掩模面的平滑度。
專利文獻3中,記載了通過作為防塵薄膜組件粘著層,使用柔軟的由凝膠組合物構成之物,來減低防塵薄膜組件貼附于光掩模等的場合的光掩模等的變形。
進一步,專利文獻4中,記載了將粘著劑層的粘著力抑制在1N/m至100N/m的范圍,來抑制由于防塵薄膜組件貼附而造成的光掩模的變形。
但是,這些提案,對于將防塵薄膜組件框架給予光掩模形狀的影響加以減低不充分,還有很多問題。例如,在將粘著層制成柔軟之物的場合,防塵薄膜組件剝離后,光掩模表面上粘著劑的殘渣易于殘留,將其除去以及再洗凈會很費事。
另外,即使提高粘著劑的平坦度,如不加大的壓力而貼附,粘著層和光掩模之間會有氣體存留,密著性變差,防塵薄膜組件的內外會通氣,從而可信性有問題。另一方面,為了解決此問題,要加以強的壓力進行確實貼附,但是,會由于防塵薄膜組件框架的形狀給光掩模大的影響,從而具有使光掩模圖案的變形變大的問題。
從以上可以得知,至今為止的技術,不能提供一種既將由于防塵薄膜組件安裝使光掩模變形減少的同時,又使防塵薄膜組件的裝卸容易且使用可信性高的防塵薄膜組件。
【現有技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-256925號
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
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