[發(fā)明專利]有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410162958.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103971636A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮佑雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | G09G3/32 | 分類號(hào): | G09G3/32 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 張然;李昕巍 |
| 地址: | 201500 上海市金*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有源 矩陣 有機(jī) 發(fā)光二極管 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的顯示器是一種新型的顯示器,現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),一般整體的面板驅(qū)動(dòng)架構(gòu)仍與目前的LCD十分相似,像素?cái)?shù)據(jù)的更新以列為單位分時(shí)更新,像素的驅(qū)動(dòng)方式以電壓補(bǔ)償式為主流,在此電路架構(gòu)上仍然會(huì)有柵極電壓饋通效應(yīng)的產(chǎn)生。
圖1所示為現(xiàn)有的源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖,如圖1所示,NMOS管M16的漏極耦接數(shù)據(jù)電壓Vdata,柵極耦接掃描電壓Scan,源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vc1端。NMOS管M14的漏極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vc1端以及NMOS管M16的源極,NMOS管M14的柵極耦接放電電壓Discharge,NMOS管M14的源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vc2端。NMOS管M13的漏極耦接NMOS管M14的源極以及儲(chǔ)存電容Cst的Vc2端,NMOS管M13的柵極耦接掃描電壓Scan。PMOS管M11的漏極耦接電源電壓Vdd,PMOS管M11的柵極耦接儲(chǔ)存電容Cst的Vc2端、NMOS管M14的源極以及NMOS管M13的漏極,PMOS管M11的源極耦接NMOS管M13的源極。PMOS管M12的漏極耦接PMOS管M11的源極以及NMOS管M13的源極,PMOS管M12的柵極耦接發(fā)射電壓Emit,PMOS管M12的源極耦接有機(jī)發(fā)光二極管EL。PMOS管M15漏極耦接參考電壓Vref,PMOS管M15的柵極耦接掃描電壓Scan,PMOS管M15的源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的一端Vc1、NMOS管M16的源極以及NMOS管M14的漏極。
圖1的像素驅(qū)動(dòng)電路中,NMOS管M16主要用于將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入像素端Vc1。當(dāng)Vscan變?yōu)榈碗娖綍r(shí),這時(shí)候由于M16關(guān)閉時(shí)的饋通效應(yīng),會(huì)讓寫入在端Vc1的電壓下降0.5~1V左右,實(shí)際中會(huì)根據(jù)寫入不同的數(shù)據(jù)電壓Vdata而得到不同的饋通電壓。在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)中,由于有機(jī)發(fā)光二極管采用電流驅(qū)動(dòng)控制灰階變化,故寫入的數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)過一連串補(bǔ)償之后仍需通過PMOS管M11來轉(zhuǎn)換成有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流。由于PMOS管M11在驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)保持在飽和區(qū),由此可知有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流的變化會(huì)受到實(shí)際輸入的數(shù)據(jù)電壓Vdata的影響,導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流差異造成色差效應(yīng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,用以解決現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的柵極電壓饋通效應(yīng),對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流的不良影響。
本發(fā)明提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,包括:掃描線,用于提供掃描電壓;反向掃描線,用于提供與所述掃描電壓反向的反向掃描電壓;數(shù)據(jù)線,用于提供數(shù)據(jù)電壓;存儲(chǔ)電容;CMOS傳輸門,通過所述掃描電壓及所述反向掃描電壓控制,用于將來自所述數(shù)據(jù)線的所述數(shù)據(jù)電壓耦合到所述存儲(chǔ)電容;以及驅(qū)動(dòng)晶體管,與一電源電壓耦接,通過所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。
根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例,其中,還包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及儲(chǔ)存電容;該CMOS傳輸門的控制端耦接該掃描線以及該反向掃描線,該CMOS傳輸門的輸入端耦接該數(shù)據(jù)線,該CMOS傳輸門的輸出端耦接該存儲(chǔ)電容的一端;該第四MOS管的漏極耦接該儲(chǔ)存電容的該一端以及該CMOS傳輸門的輸出端,柵極耦接一放電電壓,源極耦接該儲(chǔ)存電容的另一端;該第三MOS管的漏極耦接該第四MOS管的源極以及該儲(chǔ)存電容的該另一端,柵極耦接該掃描線;該第一MOS管的漏極耦接該電源電壓,柵極耦接該儲(chǔ)存電容的該另一端、該第四MOS管的源極以及該第三MOS管的漏極,源極耦接該第三MOS管的源極;該第二MOS管的漏極耦接該第一MOS管的源極以及該第三MOS管的源極,柵極耦接一發(fā)射電壓,源極耦接發(fā)光元件。
根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例,其中,該驅(qū)動(dòng)電路還包括第五MOS管,其漏極耦接一參考電壓,柵極耦接該掃描線,源極耦接該儲(chǔ)存電容的該一端、該CMOS傳輸門的輸出端以及該第四MOS管的漏極。
根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例,其中,該第一MOS管、第二MOS管以及第五MOS管均為PMOS管,第三MOS管以及第四MOS管均為NMOS管。
根據(jù)本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例,其中,該發(fā)光元件為有機(jī)發(fā)光二極管,其陽極耦接該第二MOS管的源極。
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G09G 對(duì)用靜態(tài)方法顯示可變信息的指示裝置進(jìn)行控制的裝置或電路
G09G3-00 僅考慮與除陰極射線管以外的目視指示器連接的控制裝置和電路
G09G3-02 .采用在屏幕上跟蹤或掃描光束的
G09G3-04 .用于從許多字符中選取單個(gè)字符或用個(gè)別的元件組合構(gòu)成字符來顯示單個(gè)字符,例如分段
G09G3-20 .用于顯示許多字符的組合,例如用排列成矩陣的單個(gè)元件組成系統(tǒng)構(gòu)成的頁面
G09G3-22 ..采用受控制光源
G09G3-34 ..采用控制從獨(dú)立光源的發(fā)光
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