[發(fā)明專利]一種小尺寸圖形的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410161247.1
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN103928313B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崇二敏;黃君
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3065
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S01：依次在晶圓表面沉積硬介質(zhì)層、多晶硅層、底部抗反射層和光刻膠；

步驟S02：采用光刻和等離子體刻蝕工藝，依次刻蝕所述光刻膠、所述底部抗反射層和所述多晶硅層，在所述多晶硅層中形成大尺寸圖形；

步驟S03：在所述多晶硅層表面和所述硬介質(zhì)層表面沉積一層氮化硅層；

步驟S04：采用等離子體刻蝕工藝，刻蝕掉所述多晶硅層頂部和底部的所述氮化硅層，形成氮化硅側(cè)墻；

步驟S05：去除所述多晶硅層，從而形成第一小尺寸圖形；

步驟S06：在所述晶圓表面沉積一層氧化硅層；位于氮化硅側(cè)墻側(cè)壁的氧化硅層的水平厚度小于氮化硅側(cè)墻的厚度；

步驟S07：采用等離子體刻蝕工藝，刻蝕去除掉所述氮化硅側(cè)墻頂部和底部的所述氧化硅層，在所述氮化硅側(cè)墻的側(cè)壁形成氧化硅側(cè)墻；并且氧化硅側(cè)墻的厚度小于氮化硅側(cè)墻的厚度；

步驟S08：采用濕法刻蝕工藝，去除所述氮化硅側(cè)墻，從而形成第二小尺寸圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述步驟S06中，采用原子層沉積方法沉積所述氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度小于10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述步驟S07中，所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為10-150mTorr，所采用的反應(yīng)溫度為30-80℃，所采用的刻蝕時間為10-30秒，所采用的上電極射頻功率為100-400瓦特。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所采用的刻蝕氣體為含氟氣體和氧氣的混合氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包含CF₄和/或C₄F₈、以及O₂。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述含氟氣體中，所述C₄F₈的流量為30-100sccm，所述CF₄的流量為20-40sccm，所述O₂的流量為10-15sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述步驟S08中，所采用的濕法刻蝕藥液為熱磷酸溶液。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的小尺寸圖形的制作方法，其特征在于，所述步驟S08中，所述熱磷酸溶液中，H₃PO₄與H₂O的質(zhì)量比為70％-90％，所采用的溫度范圍為150-170℃。