[發明專利]低壓直流負載過載測控電路

有效

• 申請號: 201410160375.4
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN103956708A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 陳德傳;陳亞龍;鄭忠杰;李明星
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H02H3/087
• 分類號: H02H3/087
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.低壓直流負載過載測控電路，包括測控主電路和過載判別電路，其特征在于：

測控主電路包括驅動器DR、電感L1、二極管D1、直流負載DL、電源燈LED1、輸出燈LED2、穩壓管DW1、限壓管DW2、晶閘管VT1、MOS管VT2、穩壓電容C1、穩壓電阻R1、陽極電阻R2、柵極電阻R3、輸出電阻R4、門極電阻R5、分壓電阻R6，驅動器DR的正輸出端+E端與電感L1的一端、二極管D1的陰極、電源燈LED1的陽極、陽極電阻R2的一端、柵極電阻R3的一端、輸出燈LED2的陽極連接，驅動器DR的負輸出端-E端接地，電源燈LED1的陰極與穩壓電阻R1的一端連接，穩壓電阻R1的另一端與穩壓管DW1的陰極、穩壓電容C1的一端、上拉電阻R7的一端、基準電阻R8的一端、比較器IC1的正電源端V+端連接，穩壓管DW1的陽極、穩壓電容C1的另一端均接地，陽極電阻R2的另一端與晶閘管VT1的陽極、限壓管DW2的陰極、柵極電阻R3的另一端、MOS管VT2的柵極端G端連接，晶閘管VT1的門極與門極電阻R5的一端、分壓電阻R6的一端連接，晶閘管VT1的陰極、門極電阻R5的另一端、限壓管DW2的陽極及MOS管VT2的源極端S端均接地，MOS管VT2的漏極端D端與輸出電阻R4的一端、直流負載DL的負端-IN端、檢測電阻R11的一端連接，輸出電阻R4的另一端與輸出燈LED2的陰極連接，直流負載DL的正端+IN端與電感L1的另一端、二極管D1的陽極連接；

過載判別電路包括比較器IC1、上拉電阻R7、基準電阻R8、設定電阻R9、濾波電阻R10、檢測電阻R11、濾波電容C2、設定電容C3，比較器IC1的地端GND端接地，比較器IC1的正輸入端IN+端與檢測電阻R11的另一端、濾波電阻R10的一端、濾波電容C2的一端連接，濾波電阻R10的另一端、濾波電容C2的另一端均接地，比較器IC1的負輸入端IN-端與基準電阻R8的另一端、設定電阻R9的一端、設定電容C3的一端連接，設定電阻R9的另一端、設定電容C3的另一端均接地，比較器IC1的輸出端OUT端與分壓電阻R6的另一端、上拉電阻R7的另一端連接。

2.如權利要求1所述的低壓直流負載過載測控電路，其特征在于：所述的晶閘管VT1、MOS管VT2、比較器IC1、穩壓管DW1、限壓管DW2、電源燈LED1、輸出燈LED2均采用現有的成熟產品，能夠通過市場取得，所述的晶閘管VT1采用KP1-2，MOS管VT2采用IRF系列N溝道MOSFET管，比較器IC1采用高速電壓比較器LMV7239，穩壓管DW1采用BZX84-B5V1，限壓管DW2采用IN4746A，電源燈LED1、輸出燈LED2均采用3-5mm發光二極管。

3.如權利要求1所述的低壓直流負載過載測控電路，其特征在于：所述的驅動器DR輸出的驅動電壓U_d范圍為+10V～+100V，基準電阻R8、設定電阻R9、濾波電阻R10、檢測電阻R11間的參數配合關系如式（1）、式（2）所示，濾波電容C2、設定電容C3間的參數配合關系如式（3）所示，其中，U_W為穩壓管DW1的穩壓電壓（V），U_i為MOS管VT2導通時的電流檢測信號（V）、U_ir為電流閾值設定信號（V）、R_on為MOS管VT2導通電阻（Ω）、I_om為過載與短路保護的最大閾值電流（A）；

R10R10+R11Ui=R9R8+R9UW=Uir---(1)]]>

U_i＝R_onI_om?????（2）

R10×R11R10+R11C2=R8×R9R8+R9C3---(3).]]>