[發明專利]封裝外殼引線的二維聯排設計方法有效
| 申請號: | 201410159578.1 | 申請日: | 2014-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN104008979B | 公開(公告)日: | 2017-01-04 |
| 發明(設計)人: | 陳宇寧;許麗清;程凱;夏雨楠;李華新 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標代理有限公司32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 外殼 引線 二維 設計 方法 | ||
技術領域
本發明涉及的是封裝外殼引線的二維聯排設計方法,實現一次裝架多個陶瓷部件,提高產品一致性和生產效率。屬于電子封裝的零件設計的技術領域。
背景技術
電子封裝外殼引線裝架模式傳統多采用單體設計方法,一個陶瓷部件對應一個配套引線,在裝架過程中,每一個引線的裝架需要做一個相應的裝架動作,生產效率較低,而且產品的一致性較差,成品率較低,難以滿足產品批量化的生產需求。
發明內容
本發明提出的是一種封裝外殼引線的二維聯排設計方法。其目的是為了克服現有設計中的不足,根據所配套瓷件的結構和尺寸,把引線的端部采用一定寬度的連接線以矩陣形式進行連接,并以一定的間距進行二維聯合排版整體設計,代替傳統的單體引線,實現多個瓷件一次裝架,產品一致性,提高生產效率。
本發明的技術解決方案:封裝外殼引線的二維聯排設計方法,包括以下步驟:?
(1)根據引線所配套陶瓷部件的結構和外形尺寸X1,X1為陶瓷部件引線裝配區所對應的金屬化圖形的間距,配合合理的尺寸公差x',設計單組引線頂端的間距X;
(2)根據引線所配套陶瓷部件的結構和外形尺寸Y1,Y1為陶瓷部件垂直于引線方向的長度尺寸,配合合理的尺寸公差y',設計聯排引線中每組引線間的間隔Y;
(3)在引線的端部設置帶有寬度的連筋,通過該連筋把引線以矩陣形式連接,根據單組引線頂端的間距X和每組引線間的間隔Y,運用AUTOCAD軟件繪制二維聯排引線的整體設計圖紙;所述的連筋的寬度≥0.5mm;
(4)根據二維聯排引線版圖,進行引線生產加工;
(5)在裝架模具上根據設計依次排好每組陶瓷部件、焊料、聯排引線和金屬壓塞,將所有零部件按照中心線對準并裝配在一起,完成成品裝架。
所述的完成成品裝架的安裝步驟:包括,1)將陶瓷部件在模具上以組為單位排列;其次在陶瓷部件上放置預先加工成型的特制焊料;2)把聯排引線放置在焊料上方,3)在引線上方放置經過特殊工藝處理的金屬壓塞,將所有零件按照中心線對準并裝配在一起。
本發明與現有技術相比,具有以下優點:根據所配套瓷件的結構和外形尺寸,在引線的頂部采用一定寬度的連筋以矩陣形式進行連接,并進行二維聯合排版整體設計,代替傳統的單體引線,實現多個瓷件一次裝架,即能保證產品的引線裝架質量,提高外觀一致性,同時裝架成品率和生產效率。該方法目前已經在多個項目中得到應用,取得顯著效益。
附圖說明
圖1是本發明引線的二維聯排設計的結構示意圖。
圖2是本發明實施例瓷件A單體示意圖。
圖3是本發明實施例瓷件A的引線二維聯排設計的結構示意圖。
具體實施方式
某陶瓷部件產品A,其外形結構及尺寸如圖2所示,其外形尺寸有引線間間距X1,瓷件寬度Y1,
(1)陶瓷部件產品A的引線裝配區所對應的金屬化圖形的間距X1=0.4mm,配合公差x'為±0.03mm,設計單組引線頂端的間距X=0.37mm~0.43mm;
(2)陶瓷部件產品A垂直于引線方向的長度尺寸Y1=2.0mm,配合公差y'為±0.03mm,設計聯排引線中每組引線間的間隔Y=1.97mm~2.03mm;
(3)在引線的端部設置帶有寬度的連筋,通過該連筋把引線以矩陣形式連接,根據單組引線頂端的間距X=0.37mm~0.43mm和每組引線間的間隔Y=1.97mm~2.03mm,運用AUTOCAD軟件繪制二維聯排引線的整體設計圖紙;設計連筋的寬度=0.7mm;
(4)根據二維聯排引線版圖,進行引線生產加工;
(5)在裝架模具上根據設計依次排好每組陶瓷部件、焊料、聯排引線和金屬壓塞,將所有零部件按照中心線對準并裝配在一起,完成成品裝架。
二維聯排引線的設計,可以實現陶瓷瓷件聯排的高效裝架模式,多個引線一次裝架完成,保證產品一致性,提高生產效率。該方法目前已經在多個項目中得到應用,取得顯著效益。
以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出:在不脫離本發明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





