[發明專利]一種半導體激光合成器治療儀

有效

• 申請號: 201410158335.6
• 申請日: 2014-04-18
• 公開（公告）號: CN103877679B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 周志華;黃清波;周頌林;明雷;張春愛;李紅艷
• 申請（專利權）人: 深圳天基權健康科技集團股份有限公司
• 主分類號: A61N5/067
• 分類號: A61N5/067
• 代理公司: 北京京萬通知識產權代理有限公司11440
• 代理人: 萬學堂,徐小琴

1.一種半導體激光合成器治療儀，包括：半導體激光器和控制系統，其特征在于，

半導體激光器為半導體激光合成器（11）包括：激光介質晶體（4）、用于泵浦激光介質晶體的半導體激光器（1）、將半導體激光器(1)輸出的激光聚焦到激光介質晶體(4)上的光學耦合系統(2)、使激光介質受到半導體激光激發后，產生粒子數反轉，從而在諧振腔之間產生基波激光振蕩的反射鏡（3）和輸出鏡（5）、將輸出鏡（5）輸出的諧波激光倍頻為紅光激光的倍頻晶體（6）、將未倍頻的諧波激光反射回激光諧振腔，并輸出產生的用于治療的紅光激光的反饋鏡（7），用于將輸出的紅光激光聚焦到傳輸光纖（9）的端面，并通過該光纖，傳輸到治療部位，進行治療的聚焦透鏡（8）；激光介質晶體（4）、反射鏡（3）和輸出鏡（5）組成激光諧振腔，倍頻晶體（6）放置于輸出鏡（5）和反饋鏡（7）之間，聚焦透鏡（8）設置于反饋鏡之后；

控制系統包括：

電源模塊(13)，與半導體激光合成器（11）相連，提供所述半導體激光合成器所需工作電源；

半導體激光合成器穩定工作模塊（14），與半導體激光合成器(11)、電源模塊（13）和系統控制模塊（12）相連，控制整個系統的穩定輸出功率；

系統控制模塊（12），與電源模塊(13)和半導體激光合成器穩定工作模塊（14）相連，控制整個系統工作。

2.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:激光介質晶體（4）為摻釹激光介質晶體，選自Nd:YVO4、Nd:GdVO4晶體。

3.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:傳輸光纖為用于傳輸紅光激光，并將治療儀輸出的紅光激光引導到治療部位，進行治療的醫用光纖（9）。

4.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:倍頻晶體選自KTP、LBO、PPKTP或PPLN晶體。

5.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:反射鏡的鏡面鍍有對泵浦的半導體激光束高透，對1300nm～1500nm波長全反射的光學膜。

6.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:輸出鏡的鏡片鍍有對1300nm～1500nm波長激光部分反射，對紅光激光全反射的光學膜。

7.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:反饋鏡的鏡片鍍有對1300nm～1500nm波長激光全反射，對紅光激光增透的光學膜。

8.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:半導體激光合成器可發射強度為650nm–700nm的紅光激光。

9.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:電源模塊(13)包括：外接電源插座JP1、三端穩壓塊Q1、內部電池供電系統輸入端JP2、構成充電電路的三級管Q3和Q4及用于控制充電的三級管Q9。

10.如權利要求1所述的半導體激光合成器治療儀，其特征在于:半導體激光合成器穩定工作模塊(14)包括：輸出激光合成器穩定電源的三級管Q8、提供半導體激光合成器電源輸出插座JP5、比較信號放大的比較器芯片U1、控制功率調節作用的三級管Q10、Q11，作為半導體激光合成器電源的三級管Q2，作為信息負反饋，穩定輸出功率的三級管Q6。