[發明專利]用于高溫工藝的碳層

在審

• 申請號: 201410150345.5
• 申請日: 2014-04-15
• 公開（公告）號: CN104141113A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: G·德尼弗爾;M·卡恩;H·舍恩赫爾;D·莫勒;T·格里勒;J·希爾施勒;U·赫德尼格;R·門尼希;M·金勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/56;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種方法，包括：

使用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）在襯底上沉積具有氫含量的碳層，所述氫含量使得在低于700℃的溫度對所述碳層進行任意熱處理1小時或1小時以下時所述碳層的收縮低于10%；以及

在至少400℃的溫度執行所述碳層的處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在800℃或低于800℃的溫度對所述碳層進行任意熱處理2小時或2小時以下時所述碳層的收縮低于5%。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述碳層具有針對吸水和吸濕的時間穩定性，使得所述碳層的應力隨時間基本保持恒定。

4.根據權利要求1所述的方法，其中沉積所述碳層包括向處理反應室供給前驅氣體和稀釋氣體。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述稀釋氣體包括氦氣、氬氣或氮氣中的至少一種。

6.根據權利要求3所述的方法，其中所述前驅氣體包括碳氫氣體中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述處理包括在至少500℃執行熱處理。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述處理包括在所述碳層上沉積包封層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中在至少500℃的溫度執行所述包封層的所述沉積。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述包封層包括氮化物、氧化物、氮氧化物、非晶硅或多晶硅中的至少一種。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述處理包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）工藝。

12.一種方法，包括：

使用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）工藝沉積碳層；以及

在至少500℃的溫度在所述碳層上沉積另一層，其中在沉積所述另一層期間所述碳層的收縮小于10%。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述收縮小于5%。

14.一種裝置，包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備，所述等離子體增強化學氣相沉積設備被配置成在襯底上沉積具有氫含量的碳層，所述氫含量使得在低于700℃的溫度對所述碳層進行任意熱處理1小時或1小時以下時所述碳層的收縮低于10%。

15.根據權利要求14所述的裝置，進一步包括高溫處理設備，所述高溫處理設備被配置成在至少400℃的溫度處理所述碳層。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中所述高溫處理設備包括批處理爐。

17.根據權利要求14所述的裝置，包括低壓化學沉積（LPCVD）處理設備，所述低壓化學沉積處理設備被配置成在至少500℃的溫度包封所述碳層。

18.根據權利要求17所述的裝置，其中所述LPCVD處理設備被配置成沉積氮化物層、氮氧化物層、氧化物層、非晶硅層或多晶硅層中的至少一種。

19.根據權利要求14所述的裝置，其中所述PECVD設備包括前驅氣體源和稀釋氣體源。

20.根據權利要求14所述的裝置，其中所述PECVD設備被配置成當沉積所述碳層時在高于200℃的溫度以及以低于1500Pa的壓力工作。

21.一種器件，包括：

襯底；以及

等離子體增強化學氣相沉積所沉積的具有氫含量的碳層，所述氫含量使得在低于700℃的溫度對所述碳層進行任意熱處理1小時或1小時以下時所述碳層的收縮低于10%。

22.根據權利要求21所述的器件，進一步包括在所述碳層上的包封層。

23.根據權利要求22所述的器件，其中所述包封層包括氮化物、氧化物、氮氧化物、非晶硅或多晶硅中的至少一種。

24.根據權利要求21所述的器件，其中所述氫含量使得在800℃或低于800℃的溫度對所述碳層進行任意熱處理1小時或1小時以下時所述碳層的收縮低于5%。