[發明專利]一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410145591.1
• 申請日: 2014-04-11
• 公開（公告）號: CN103941511A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 王新星;姚繼開
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/161
• 分類號: G02F1/161
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置。

背景技術

電致變色顯示是一種新型的顯示技術，與液晶顯示相比，其具有清晰度高、視角大、工作電壓低、以及不需要背光和偏光片等優點，因此，得到了快速的發展。

目前主流的ECD（Electrochomeric?Display，電致變色顯示器）為AMECD（Active?Matrix?ECD，有源矩陣式電致變色顯示器），其包括兩種進行彩色顯示的結構：第一種是RGB（紅綠藍）彩膜+一種EC電解液的結構，第二種是RGB三種EC電解液的結構。

對于任一種進行彩色顯示的AMECD結構，為了避免相鄰像素顯示色彩的串擾，目前的AMECD中一般會設置有用于分隔相鄰像素的像素分隔墻。目前一般先采用掩膜版在基板上形成黑矩陣，再采用同一掩膜版在形成有黑矩陣的基板上形成與黑矩陣位置對應的像素分隔墻。其中，采用掩膜版在基板上形成黑矩陣的步驟包括：在基板上涂布一層不透光材料，采用掩膜版對所述不透光材料進行曝光，清洗掉所述掩膜版的不透光區域對應的不透光材料，形成黑矩陣；以及，采用同一掩膜版在形成有黑矩陣的基板上形成像素分隔墻的步驟包括：在形成有黑矩陣的基板上涂布一層光刻膠，采用同一掩膜版對所述光刻膠進行曝光，其中，所述黑矩陣對應所述掩膜版的透光區域，清洗掉所述掩膜版的不透光區域對應的光刻膠，形成所述的像素分隔墻。

由于在采用同一掩膜版對光刻膠進行曝光時，很難實現所述掩膜版的透光區域與黑矩陣位置的精準對應，因此，可能導致制作出的像素分隔墻與黑矩陣部分交疊，使得像素的開口率變小；另外，由于光線存在衍射和散射現象，因此制作出的黑矩陣和像素分隔墻的實際寬度均要比掩膜板的透光區域寬度大，而且，由于與不透光材料相比，光刻膠的厚度比較大，相應地，光刻膠成型需要的曝光時間也會比較長，因此，制作出的像素分隔墻的實際寬度會明顯大于黑矩陣的實際寬度，也會導致像素的開口率變小。

綜上所述，采用目前方法制作出的像素分隔墻會導致像素的開口率變小，降低AMECD的顯示效果。

發明內容

本發明實施例提供一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置，用以解決現有技術中存在的采用目前方法制作出的像素分隔墻會導致像素的開口率變小的問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種像素分隔墻的制作方法，包括：

采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩陣；

在形成有黑矩陣的所述基板表面上均勻地噴涂一層均勻混合有納米磁性微球的分散劑；其中，所述納米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子鏈的預聚物；

加熱蒸發掉所述分散劑，所述納米磁性微球聚集到黑矩陣對應區域；

加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，并對預聚物處于熔融態的所述納米磁性微球進行固化處理，形成所述像素分隔墻。

較佳地，所述預聚物包括丙烯酸酯類預聚物；

所述加熱熔融納米磁性微球的預聚物，具體包括：

在100℃～200℃的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物；

對預聚物處于熔融態的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括：

在溫度為150℃～230℃的條件下，對預聚物處于熔融態的所述納米磁性微球進行不小于1小時的熱固化。

較佳地，所述預聚物包括環氧樹脂類預聚物；

所述加熱熔融納米磁性微球的預聚物，具體包括：

在100℃～200℃的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物；

所述對預聚物處于熔融態的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括：

在功率不小于1焦耳每秒的條件下，對預聚物處于熔融態的所述納米磁性微球進行1秒～10秒的紫外固化。

較佳地，所述黑矩陣的材料為摻雜有磁性材料的不透光材料；

其中，所述不透光材料中摻雜的磁性材料包括合金、鐵氧體和金屬間化合物中的一種或多種。

較佳地，所述分散劑包括硅烷偶聯劑。

第二方面，本發明實施例提供了一種像素分隔墻，其中：所述像素分隔墻采用本發明實施例中所述的方法制作。

較佳地，所述像素分隔墻包括磁性材料、以及經過熔融和固化處理后的預聚物；其中，所述預聚物表面包含活性分子鏈。

第三方面，本發明實施例提供了一種基板，其中：包括本發明實施例中所述的像素分隔墻。

第四方面，本發明實施例提供了一種顯示裝置，其中：包括本發明實施例中包括所述的像素分隔墻的基板。