[發明專利]一種紫外LED外延結構生長方法在審
| 申請號： | 201410145553.6 | 申請日： | 2014-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN103915532A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發明（設計）人： | 王曉波 | 申請（專利權）人： | 西安神光皓瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/06 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紫外 led 外延 結構 生長 方法 | ||
1.一種紫外LED外延結構生長方法，包括以下步驟：
（1）在藍寶石襯底上生長低溫AlN；
（2）生長高溫AlN；
（3）生長若干個周期AlN/AlGaN超晶格結構層；
（4）生長摻雜硅烷的n型AlGaN層；
（5）生長若干個周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱壘區，其中AlxGa1-xN作為阱層，AlyGa1-yN作為壘層，0<x＜y＜1；
（6）生長摻雜鎂p型AlGaN阻擋層；
（7）生長摻雜鎂p型AlGaN層作為p層；
（8）生長重摻雜硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄層,0<w<0.05,0<z<0.9；
（9）氮氣氛圍下退火。
2.根據權利要求1所述的紫外LED外延結構生長方法，其特征在于：步驟（8）生長3-10nm的重摻雜硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄層。
3.根據權利要求2所述的紫外LED外延結構生長方法，其特征在于：步驟（8）的生長環境為在890℃，200torr。
4.根據權利要求3所述的紫外LED外延結構生長方法，其特征在于：步驟（5）的每一個周期中，量子阱層AlxGa1-xN和壘層AlyGa1-yN層的厚度分別為3nm和8nm。
5.一種紫外LED外延片，其特征在于，包括依次生長的以下各層：
藍寶石襯底；
低溫AlN；
高溫AlN；
若干個周期AlN/AlGaN超晶格結構層；
摻雜硅烷的n型AlGaN層；
若干個周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱壘區，其中AlxGa1-xN作為阱層，AlyGa1-yN作為壘層，0<x＜y＜1；
摻雜鎂p型AlGaN阻擋層；
摻雜鎂p型AlGaN層作為p層；
重摻雜硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄層，0<w<0.05,0<z<0.9。
6.根據權利要求5所述的紫外LED外延片，其特征在于：重摻雜硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄層的厚度為3-10nm。
7.根據權利要求6所述的紫外LED外延片，其特征在于：AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱壘區的每一個周期中，量子阱層AlxGa1-xN和壘層AlyGa1-yN層的厚度分別為3nm和8nm。
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