[發(fā)明專利]用于借助同時雙面拋光來拋光半導(dǎo)體晶片的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410144265.9 | 申請日： | 2014-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN104097134B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | R·鮑曼;J·施陶德哈默;A·海爾邁爾;L·米斯圖爾;K·勒特格 | 申請（專利權(quán)）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新,蔡勝利 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 借助 同時 雙面 拋光 半導(dǎo)體 晶片 方法 | ||
1.一種用于拋光半導(dǎo)體晶片的方法，該方法在拋光裝置的下和上拋光墊之間的間隙中在提供拋光劑的同時借助于同時雙面拋光來進行，所述下拋光墊覆蓋下拋光板，所述上拋光墊覆蓋上拋光板，且所述拋光板和所述拋光墊具有內(nèi)邊緣和外邊緣，該方法包括：
用修整工具對上拋光墊和下拋光墊中的至少一個進行修整，覆蓋有待修整的拋光墊的拋光板進行旋轉(zhuǎn)，且修整工具以如下方式安裝在間隙中：修整工具從待修整的拋光墊的內(nèi)邊緣延伸至外邊緣，其中，在修整過程中，修整工具和與待修整的拋光墊相對的拋光墊之間在該拋光墊的內(nèi)邊緣處的距離與在該拋光墊的外邊緣處的相應(yīng)的距離不同；和
在修整后在間隙中同時雙面拋光半導(dǎo)體晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在再次實施修整之前，實施一次或多次同時雙面拋光。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在修整過程中將一種輪廓施加于所述間隙，根據(jù)該輪廓，在拋光墊的內(nèi)邊緣處的間隙的寬度大于在拋光墊的外邊緣處的間隙的寬度。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述修整工具包括一個或多個環(huán)，所述一個或多個環(huán)放置在拋光裝置的內(nèi)、外驅(qū)動齒輪之間，且繞著所述環(huán)的中心通過內(nèi)驅(qū)動齒輪或通過外驅(qū)動齒輪或通過內(nèi)和外驅(qū)動齒輪進行旋轉(zhuǎn)。
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