[發(fā)明專利]印刷電路板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410144076.1
• 申請(qǐng)日: 2014-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104105334B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔良鈗;白鈺基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安普泰科電子韓國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H05K3/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;王忠忠

本發(fā)明提供一種印刷電路板(PCB)及其制造方法，該P(yáng)CB能夠通過(guò)在表面上形成銅(Cu)膜來(lái)使用一般的接合構(gòu)件，增加接合力，并且通過(guò)使用鋁(Al)來(lái)增加熱輻射效率和抗彎強(qiáng)度。該P(yáng)CB包括：核心單元；基底單元，其表面由Cu來(lái)制成；接合構(gòu)件，設(shè)置在核心單元與基底單元之間，以將基底單元接合到核心單元的每側(cè)；替換層，配置成使基底單元的表面變成鋅(Zn)；第一鍍層，在替換層上通過(guò)鍍敷由第一金屬材料制成；以及第二鍍層，在第一鍍層上通過(guò)鍍敷由與第一金屬材料不同的第二金屬材料制成。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2013年4月12日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)品局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2013-0040367的權(quán)益，通過(guò)引用將其公開(kāi)結(jié)合到本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用鋁(Al)的印刷電路板(PCB)，以及更具體來(lái)說(shuō)，涉及使用Al來(lái)增加熱輻射和抗彎強(qiáng)度的PCB及其制造方法。

背景技術(shù)

一般來(lái)說(shuō)，印刷電路板(PCB)指的是用于經(jīng)過(guò)其上集成的布線來(lái)安裝各種裝置或者實(shí)現(xiàn)裝置之間的電連接的組件。隨著技術(shù)發(fā)展，PCB采取各種形式來(lái)制造并且具有各種功能。隨著諸如家用電器、通信裝置、半導(dǎo)體設(shè)備、工業(yè)裝置和汽車(chē)的電氣控制之類的需求旺盛工業(yè)的增長(zhǎng)，對(duì)PCB的需求不斷增加。具體來(lái)說(shuō)，隨著朝電子部件的小尺寸和高技術(shù)的趨勢(shì)，PCB正變成更小、更輕和高附加值產(chǎn)品。

那些電子裝置的顯著特征之一是由添加多功能所引起的功率消耗的增加。相應(yīng)地，電子部件中的熱生成增加。熱生成可與用戶滿意程度相關(guān)或者用作購(gòu)買(mǎi)標(biāo)準(zhǔn)。

按常規(guī)，通過(guò)使用覆銅箔層壓板(CCL)作為基板并且在CCL上形成和添加電路圖案，來(lái)制造多層PCB。但是，由于常規(guī)PCB的材料局限于銅(Cu)，所以PCB的熱輻射性質(zhì)受到限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種印刷電路板(PCB)及其制造方法，使用鋁(Al)層合來(lái)實(shí)現(xiàn)各種類型的電路，并且相應(yīng)地簡(jiǎn)化產(chǎn)品配置。

本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種PCB及其制造方法，通過(guò)使用一般的接合構(gòu)件來(lái)增加接合力，并且由此降低制造成本。

本發(fā)明的又一方面提供一種PCB及其制造方法，增加熱輻射效率和抗彎強(qiáng)度。

本發(fā)明的又一方面提供一種PCB及其制造方法，阻止在應(yīng)用到汽車(chē)的惡劣環(huán)境條件下的襯底的破壞，由此增加產(chǎn)品的可靠性。

本發(fā)明的另一方面提供一種PCB及其制造方法，通過(guò)使用較輕的Al來(lái)減少汽車(chē)的電子部件。

本發(fā)明的又一方面提供一種PCB及其制造方法，降低制造時(shí)間和制造成本。

按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種PCB，其包括：核心單元；基底單元，其表面由Cu來(lái)制成；接合構(gòu)件，設(shè)置在核心單元與基底單元之間，以將基底單元接合到核心單元的每側(cè)；替換層，配置成使基底單元的表面變成鋅(Zn)；第一鍍層，在替換層上通過(guò)鍍敷由第一金屬材料制成；以及第二鍍層，在第一鍍層上通過(guò)鍍敷由與第一金屬材料不同的第二金屬材料制成。

核心單元可由絕緣材料制成。可穿過(guò)核心單元、接合構(gòu)件和基底單元來(lái)形成通孔。可形成金屬層，以金屬化通孔中暴露由絕緣材料所制成的核心單元和接合構(gòu)件的截面，以及替換層可在不包括金屬層的區(qū)域來(lái)形成。替換層的厚度可等于或大于金屬層的厚度。基底單元可配置成使得Cu膜經(jīng)過(guò)Al層的表面處理來(lái)設(shè)置在Al層的表面上，以及基底單元可包括Al層、在Al層上形成的Zn膜、通過(guò)鍍敷在Zn膜上形成的鎳(Ni)膜以及通過(guò)鍍敷在Ni膜上形成的Cu膜。