[發明專利]圖案化晶圓缺點檢測系統及其方法有效
| 申請號: | 201410143477.5 | 申請日: | 2008-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN103972124B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 阿曼努拉·阿杰亞拉里;京林;春林·盧克·曾 | 申請(專利權)人: | 聯達科技設備私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 新加坡25加冷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 化晶圓 缺點 檢測 系統 及其 方法 | ||
1.一種檢測半導體裝置的方法,其特征在于,包括:
(a)藉由金模板層產生的系統生成兩個或多個金模板,每一個金模板從半導體晶圓的不同區域生成,或從所述半導體晶圓的不同區域產生的多個金模板的組合中生成,所述半導體晶圓基于使用不同照明型號的不同照明特征被選擇;
(b)在所述金模板層產生的系統中選擇一第一金模板;
(c)將一個晶片圖像與所述金模板層產生的系統中的所述第一金模板進行比較;
(d)確定所述晶片圖像是否未通過與所述金模板層產生的系統中的所述第一金模板的對比;以及
(e)如果所述晶片圖像未通過與所述金模板層產生的系統中的所述第一金模板的對比,則將所述晶片圖像與所述金模板層產生的系統中的第二金模板進行比較;以及
(f)如果所述晶片圖像未通過與所述第二金模板的對比,使用在所述金模板層產生的系統中的第三金模板,重復進行步驟(a)到(c),
其中,步驟(a)到(f)都是通過使用區分優選次序的金模板層級從不同金模板進行的,
其中,生成兩個或多個金模板的所述金模板層產生的系統包括金模板層生成系統,晶圓選擇系統,區域選擇系統,區域金模板系統,組金模板系統以及主金模板系統和照明選擇系統。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,將所述晶片圖像與所述金模板層產生的系統中的所述第二金模板進行比較是為了避免當所述晶片圖像未通過與所述金模板層產生的系統中的所述第一金模板的對比時所述晶片的誤拒絕。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述金模板層產生的系統中的至少一個金模板是基于半導體晶片的圖像而生成的,其中,所述半導體晶片位于不同的半導體晶圓上。
4.如權利要求1-3中任意一項所述的方法,其特征在于,將所述晶片圖像與所述金模板層產生的系統中的所述第二金模板進行比較的步驟(e)包括:(g)如果晶片圖像未通過與所述金模板層產生的系統中的第一金模板的對比,則在所述金模板層產生的系統中選擇所述第二金模板;以及(h)如果晶片圖像未通過與所述金模板層產生的系統中的第一金模板的對比,則將所述晶片圖像與所述金模板層產生的系統中的選擇的所述第二金模板進行比較。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,將所述晶片圖像與所述金模板層產生的系統中的所述第二金模板進行比較的步驟(e)包括:
(i)在所述金模板層產生的系統中選擇下一個金模板;
(j)將所述晶片圖像與所述金模板層產生的系統中所選擇的下一個金模板進行比較;以及
(k)重復步驟(i)和(j),直到沒有另外的金模板,所述晶片被拒絕。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,其中所述所選擇的下一個金模板是在所述金模板層產生的系統中的另一個組金模板或區域金模板,且其中在所述金模板層產生的系統中的所述另一個組金模板或區域金模板選擇下一個金模板的步驟包括,使用區分優選次序的金模板層級從所述金模板層產生的系統中的所述另一個組金模板或區域金模板中選擇一個不同金模板或選擇下一個金模板。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括一主金模板檢測系統,組金模板檢測系統,區域金模板檢測系統以及通過未通過系統,以使得可和晶片圖像相互對比,以判斷是否半導體晶圓晶片可被接受或包含使半導體晶圓晶片不可接受的瑕疵。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





