[發明專利]一種功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板

有效

• 申請號: 201410142703.8
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN103954804A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 張瑾;仇志杰;溫旭輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 關玲

1.一種功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板，其特征在于，所述的覆銅陶瓷基板由三層結構組成，自上而下依次為：上銅層（0101）、陶瓷層（0102）、下銅層（0103）；

上銅層（0101）的下方為陶瓷層（0102），陶瓷層（0102）的作用是實現上銅層（0101）與下銅層（0103）的電氣絕緣；

陶瓷層（0102）的下方為下銅層（0103），下銅層（0103）的作用是固定覆銅陶瓷基板；

所述的上銅層（0101）刻蝕有電路圖六個獨立的電路區域：正電極區（0201）、公共電極區（0202）、負電極區（0203）、第一門極區（0204）、第二門極區（0205），以及門極橋接區（0206）；所述六個電路區域之間均刻蝕有絕緣溝道（0209）；

所述的第一門極區（0204）位于上銅層（0101）的最左端，第一門極區（0204）的上方和右方為正電極區（0201），第一門極區（0204）的下方為公共電極區（0202）；公共電極區（0202）的左側為正電極區（0201），公共電極區（0202）的右側為負電極區（0203）；負電極區（0203）的左側及下方為公共電極區（0202），右側為第二門極區（0205）；所述的門極橋接區（0206）位于負電極區（0203）內部，并且，門極橋接區（0206）位于覆銅陶瓷基板（01）的橫軸中心線上。

2.根據權利要求1所述的功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板，其特征在于，所述的第一門極區（0204）呈“凸”字形，該“凸”字形的凸出的區域用于連接第一待測芯片（03）的門極（0302）；所述的公共電極區（0202）焊接有第二待測芯片（04）；

所述的負電極區（0203）呈“L”形；

所述的第二門極區（0205）呈“凸”字形，“凸”字形的第二門極區（0205）凸出的區域用于連接門極橋接區（0206）。

3.根據權利要求1所述的功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板，其特征在于，所述的正電極區（0201）呈“L”形，其表面刻蝕有4個第一焊接區標識孔（0207），這4個標識孔為一組，用于指示第一待測芯片（03）的焊接位置；4個第一焊接區標識孔中，其中兩個分別位于正電極區（0201）“L”形長邊的兩個頂點處，其余兩個標識孔與所述的“L”形長邊兩個頂點處的標識孔以基板橫軸中心線（0212）為基準呈對稱分布，即第一焊接區標識孔（0207）的幾何中心位于基板橫軸中心線（0212）上。

4.根據權利要求1所述的功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板，其特征在于，所述的公共電極區（0202）呈“山”字形，其表面刻蝕有4個第二焊接區標識孔（0208），這4個標識孔為一組，用于指示第二待測芯片（04）的焊接位置；4個第二焊接區標識孔中的兩個位于“山”字形公共電極區（0202）的長豎邊上，并且與位于正電極區（0201）“L”形長邊兩個頂點處的兩個第一焊接區標識孔處在一條水平線上，其余兩個第二焊接區標識孔與上面所述的兩個位于“山”字形公共電極區（0202）的長豎邊上的第二焊接區標識孔以基板橫軸中心線（0212）為基準呈對稱分布；并且，第二焊接區標識孔（0208）的幾何中心位于覆銅陶瓷基板（01）的幾何中心，即基板橫軸中心線（0212）與縱軸中心線（0213）的交點。

5.根據權利要求1所述的功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板，其特征在于，所述的第一待測芯片（03）、第二待測芯片（04）與覆銅陶瓷基板（01）互聯，組成半橋電路結構。