[發明專利]一種深硅刻蝕方法有效
| 申請號： | 201410140457.2 | 申請日： | 2014-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN103950887A | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發明（設計）人： | 涂良成;伍文杰;范繼;劉金全;羅俊 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 方法 | ||
1.一種深硅刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜；
（2）對硅片進行深感應耦合等離子體干法刻蝕，包括多個刻蝕階段，每個刻蝕階段均在感應耦合等離子體機內，通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環加工完成，隨著刻蝕深度的增加，各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。
2.如權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟（2）包括第一刻蝕階段和第二刻蝕階段；
第一刻蝕階段的刻蝕深度為120～180μm，其中，鈍化步驟：離子源功率1500～2000W，下電極功率0W，腔體氣壓50～90mtorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，時間0.375～0.40s；轟擊步驟：離子源功率2000～3000W，下電極功率50～75W，腔體氣壓15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蝕時間0.6～0.85s；刻蝕步驟：離子源功率3000～4000W，下電極功率0W，腔體氣壓80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蝕時間1～1.5s；
第二刻蝕階段的刻蝕深度為100～150μm，其中，鈍化步驟：離子源功率1500～2000W，下電極功率0W，腔體氣壓50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蝕時間0.4～0.5s；轟擊步驟：離子源功率2000～3000W，下電極功率100W，腔體氣壓15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蝕時間0.65～0.9s；刻蝕步驟：離子源功率3000～4000W，下電極功率0W，腔體氣壓80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蝕時間1～1.5s。
3.如權利要求2所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟（2）還包括第三刻蝕階段；
第三刻蝕階段的刻蝕深度為90～110μm，其中，鈍化步驟：離子源功率1500～2000W，下電極功率0W，腔體氣壓50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蝕時間0.4～0.5s；轟擊步驟：離子源功率2000～3000W，下電極功率150W，腔體氣壓15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蝕時間0.65～1s；刻蝕步驟：離子源功率3000～4000W，下電極功率0W，腔體氣壓80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蝕時間1～1.5s。
4.如權利要求3所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟（2）還包括第四刻蝕階段；
第四刻蝕階段的刻蝕深度為40～60μm，其中，鈍化步驟：離子源功率1500～2000W，下電極功率0W，腔體氣壓50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蝕時間0.4～0.5s；轟擊步驟：離子源功率2000～3000W，下電極功率150～200W，腔體氣壓15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蝕時間0.8～1s；刻蝕步驟：離子源功率3000～4000W，下電極功率0W，腔體氣壓80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蝕時間1～1.5s。
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