[發明專利]采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法

有效

• 申請號: 201410140035.5
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN103882412A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 劉忠偉;陳強;趙高;原建松;曹慶波
• 申請（專利權）人: 北京印刷學院;煙臺鴻慶包裝材料有限公司
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;C23C16/40
• 代理公司: 煙臺雙聯專利事務所(普通合伙) 37225
• 代理人: 曲顯榮

1.采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，通過等離子體發生裝置產生的等離子體與放電氣體混合后沉積于基材上，其特征在于等離子體發生裝置為常壓射流式等離子體發生裝置，通過輸氣管路引入放電氣體，同時有機硅單體由載氣攜帶進入射流槍內，與放電氣體混合，在高壓電極與接地射流頭之間放電產生等離子體，形成納米級薄膜氣相成分，射流槍由高壓電源驅動，等離子體經射流槍射流頭噴出，在基材上沉積形成阻隔薄膜。

2.按照權利要求1所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述常壓射流式等離子體發生裝置包括射流搶（4）、驅動射流槍機械運動的電機（1）、與射流槍固定安裝的縱向傳動軌（2）、支持射流槍和縱向傳動軌做橫向傳動的橫向傳動軌（3）、安裝在射流槍下方的載物臺（5）、帶動載物臺移動的前后傳動軌（6）以及支撐整套裝置的底座（7）、與射流槍進口通過管路連通的有機硅單體發生器（8）和放電氣體供應源（9）、與有機硅單體發生器（8）連通的載氣供應源（10），工作電源（11）與射流搶（4）電聯。

3.按照權利要求2所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述射流槍（4）包括筒形外殼（4-1）和同軸安裝的圓柱狀高壓電極（4-2）、夾在高壓電極（4-2）和筒形外殼（4-1）之間的絕緣介質層（4-3）、安裝在高壓電極（4-2）尾端的絕緣介質筒（4-4）、安裝在外殼（4-1）尾端的射流頭（4-5）；射流槍進口通過管路連通有機硅單體發生器（7），工作電源（11）與射流槍的高壓電極（4-2）電聯，射流槍的外殼（4-1）通過導線與大地連接；高壓電極（4-2）和外殼（4-1）組成管形腔體，管形腔體的頭端設有絕緣蓋，絕緣蓋中心設有出氣口，出氣口與有機硅單體發生器（7）通過絕緣進氣管（12）連通，絕緣進氣管（12）與高壓電極（4-2）內腔連接，放電氣體經絕緣進氣管到達中空高壓電極（4-2）內，通過中空高壓電極的針狀尾端（4-9）后進入高壓電極與射流頭間的放電區。

4.按照權利要求3所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述高壓電極（4-2）由主體部分和針狀尾端（4-9）組成，其針狀尾端插入中空的耐高溫絕緣介質筒（4-4）中。

5.按照權利要求3所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述外殼（4-1）采用金屬材料制作。

6.按照權利要求3所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述外殼（4-1）優先選用不銹鋼或鋁材料制作。

7.按照權利要求2所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述射流頭（4-5）優先選用銅或不銹鋼材料制作。

8.按照權利要求1所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述放電氣體放電放電氣體為氮氣、氬氣、氦氣中的一種或任意兩種或三種的混合氣體。

9.按照權利要求1所述采用等離子體射流制備高阻隔薄膜的方法，其特征在于所述的有機硅單體為六甲基二硅氧烷、八甲基四硅氧烷或四甲基二硅氧烷中的一種,均為液體狀態。