[發明專利]感測裝置及其數據感測方法

在審

• 申請號: 201410139666.5
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN104979000A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 王博平;黃正達;林俊宏
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

技術領域

本發明涉及一種感測放大器和其數據感測的方法，且特別涉及一種用于減少數據感測時間的感測放大器和其數據感測的方法。

背景技術

隨著半導體制程技術快速發展，集成電路的操作電壓越來越低。對于非易失性記憶胞（non-volatile?memory?cell），當操作電壓很低時（例如，操作電壓VDD=1.5V/1.2V或1.0V），胞電流（cell?current）通過感測放大器的電流很小。當感測放大器進行非易失性記憶胞中的數據的感測動作時，由于胞電流對位元線（bit?lin）所進行的充電動作需要很長的時間，致使提升感測端的電壓到大于觸發電壓所需的數據感測時間也會很長，如此一來非易失性記憶胞的效能會受到限制。

發明內容

本發明提供一種用于減少從記憶胞感測數據的感測時間的感測裝置。

本發明提供一種用于減少從記憶胞感測數據的感測時間的數據感測方法。

本發明提供一種感測裝置包括一初始化電路、一參考電流產生器及一感測電路。初始化電路耦接至感測端，在放電時期將初始化電路從感測端放電至參考接地端，并且根據輸出信號在預充電時期將該感測端預先充電至預設電壓。參考電流產生器耦接至感測端，從感測端汲取參考電流。感測電路耦接至感測端，用以感測在感測端的電壓以產生輸出信號，其中感測端從記憶胞(memory?cell)接收胞電流，此外預充電時期在放電時期之后。

本發明提供一種數據感測方法包括：在放電時期經由初始化電路將電壓自感測端放電至參考接地端；在預充電時期，根據初始化電路的輸出信號將電壓自感測端預充電至預設電壓；從記憶胞經由感測端接收胞電流；從感測端通過參考電流產生器汲取參考電流；以及通過感測電路感測在感測端的電壓，產生輸出信號，其中預充電時期在放電時期之后。

綜上所述，本發明提供的感測裝置在預充電時期將感測端的電壓拉至預設電壓。也就是說，當預充電時期結束時，電壓可迅速提升至超過觸發電壓，并且可以減少感測裝置需要的感測時間。

應了解以上一般描述和以下的詳細描述都是示例性的，并且旨在提供進一步的解釋揭露本發明。

附圖說明

下面的附圖是本揭露的說明書的一部分，繪示了本申請揭露的示例實施例，附圖與說明書的描述一起說明本揭露的原理。

圖1是根據本發明的一實施例的感測裝置100的方塊圖。

圖2是根據本發明的一實施例的初始化電路110的方塊圖。

圖3A是根據本發明的另一實施例的感測裝置300的電路圖。

圖3B是根據感測裝置300的另一實施例的預充電電路311的電路圖。

圖4是根據本發明的一實施例的波形圖。

圖5是根據本發明的一實施例的數據感測方法的流程圖。

【符號說明】

100：感測裝置

110：初始化電路

120：參考電流產生器

130：感測電路

170：記憶胞

VDD：操作電壓

GND：參考接地端

SE：感測端

IREF：參考電流

ICELL：胞電流

ZPREEN：反向預充電致能信號

PREEN：預充電致能信號

DISEN：放電致能信號

110：初始化電路

111：預充電電路

112：放電電路

Q：鎖存門的數據端

D：鎖存門的致能端

E：鎖存門的輸出端

310：初始化電路

311：預充電電路

312：放電電路

320：參考電流產生器

330：感測電路

331：過沖預防電路

340：鎖存電路

341：邏輯門

342：鎖存門

370：記憶胞

ENSA：感測放大器致能信號

NBIAS：偏壓

ENLAT：鎖存致能信號

ZENLAT：反相鎖存致能信號

VSA：電壓

LATOUT：鎖存輸出信號

SW：開關

MP：P型MOSFET

MN：N型MOSFET

OUT：輸出信號

C1：曲線

TA1、TA2：時間區間

TP1、TP2：預充電時期

TD1、TD2：放電時期