[發明專利]一種非真空下降法生長氟化鈰晶體的方法在審
| 申請號： | 201410136597.2 | 申請日： | 2014-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN104975345A | 公開（公告）日： | 2015-10-14 |
| 發明（設計）人： | 岳世海;朱勇;王威;殷學技;徐海芳;潘裕柏;葛增偉 | 申請（專利權）人： | 上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 下降 生長 氟化 晶體 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種非真空下降法生長氟化鈰晶體的方法，其特征在于，包括如下步驟：
a)使氟化鈰粉體與聚四氟乙烯粉體按質量比為100:(1～5)混勻；
b)將步驟a)得到的混合粉體進行真空干燥；
c)將步驟b)得到的干燥混合粉體裝入坩堝中，在非真空條件下，以0.5～1.5毫米/小時的下降速度進行晶體生長。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟a)是在室溫下、相對濕度≤20%的環境中進行。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述氟化鈰粉體的純度≥99.9%。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟b)所述的真空干燥是指在150～350℃干燥1～5小時。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟c)所述的坩堝具有擴晶錐度。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c)所述的晶體生長包括如下操作：先將坩堝加熱到1450～1490℃，保溫使坩堝內原料充分熔化，然后以0.5～1.5毫米/小時的下降速度、30～60℃/厘米的溫度梯度進行晶體生長；生長完成后，以20～40℃/小時的速率降至室溫。
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