[發(fā)明專利]集成電路用低介電常數(shù)薄膜層的制備工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410136480.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103887233B | 公開(公告)日: | 2017-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫旭輝;夏雨健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司32103 | 代理人: | 馬明渡,王健 |
| 地址: | 215123 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 介電常數(shù) 薄膜 制備 工藝 | ||
1.一種集成電路用低介電常數(shù)薄膜層的制備工藝,所述制備工藝基于一沉積裝置,其特征在于:所述沉積裝置包括兩端密封安裝有端蓋(2)的爐體(1)、位于爐體(1)一側(cè)的液體源噴射機(jī)構(gòu)(3),所述爐體(1)前半段纏繞有感應(yīng)線圈(4),此感應(yīng)線圈(4)依次連接到13.36MHz射頻電源(5)和匹配器(6),所述液體源噴射機(jī)構(gòu)(3)包括耐壓不銹鋼釜(7)、第一耐壓混氣罐(8)和第二耐壓混氣罐(9),此第一耐壓混氣罐(8)一端連接有均安裝第一質(zhì)量流量計(jì)(101)的第一進(jìn)氣管(111)、第二進(jìn)氣管(112),第一耐壓混氣罐(8)另一端與耐壓不銹鋼釜(7)一端通過安裝有頂針閥(12)的管路連接,耐壓不銹鋼釜(7)另一端通過安裝有頂針閥(12)、第一質(zhì)量流量計(jì)(101)的管路連接到第一噴嘴(13);所述第二耐壓混氣罐(9)一端連接有均安裝第二質(zhì)量流量計(jì)(102)的第三進(jìn)氣管(141),所述第二耐壓混氣罐(9)另一端連接到第二噴嘴(15),所述第一噴嘴(13)、第二噴嘴(15)密封地插入所述爐體一端的端蓋從而嵌入爐體內(nèi);
一真空泵(17)位于爐體(1)另一側(cè),連接所述真空泵(17)一端的管路密封地插入爐體(1)另一端的端蓋(2)內(nèi),一手動(dòng)擋板閥(19)、真空計(jì)(18)安裝于真空泵側(cè)端蓋(2)和真空泵(17)之間的管路上;
包括以下步驟:
步驟一、關(guān)閉頂針閥(12)和第一、第二質(zhì)量流量計(jì)(101、102)后,打開手動(dòng)擋板閥(19)和真空泵(17),抽除爐體(1)內(nèi)氣體;
步驟二、當(dāng)爐體(1)內(nèi)真空度小于10-3Pa時(shí),啟動(dòng)13.36MHz射頻電源(5)和匹配器(6);
步驟三、開啟第二質(zhì)量流量計(jì)(102)后,將用于排凈爐體內(nèi)殘存氣體的排氣氮?dú)饣蛘叨栊詺怏w從第三進(jìn)氣管(141)依次經(jīng)過第二耐壓混氣罐(9)、第二噴嘴(15)送入爐體(1)內(nèi);
步驟四、將八甲基環(huán)四硅氧烷、環(huán)己烷混合均勻并注入所述耐壓不銹鋼釜(7)內(nèi),將鼓泡氣體分別從第一進(jìn)氣管(111)、第二進(jìn)氣管(112)注入并依次經(jīng)過第一耐壓混氣罐(8)、耐壓不銹鋼釜(7)、第一噴嘴(13)送入爐體(1)內(nèi),從而將八甲基環(huán)四硅氧烷、環(huán)己烷帶入爐體(1)內(nèi),八甲基環(huán)四硅氧烷、環(huán)己烷、鼓泡氣體在等離子條件下在基底表面沉積一薄膜層;
步驟五、沉積結(jié)束后,關(guān)閉13.36MHz射頻電源(5)、匹配器(6)、頂針閥(12)和第一、第二質(zhì)量流量計(jì)(101、102)后,關(guān)閉手動(dòng)擋板閥(19),并對(duì)爐體(1)進(jìn)行放氣,待爐體(1)內(nèi)壓力恢復(fù)至大氣壓時(shí),打開真空泵(17)一側(cè)端蓋,將已沉積的薄膜層轉(zhuǎn)移至爐體(1)的加熱溫區(qū)內(nèi),關(guān)閉端蓋,打開手動(dòng)擋板閥進(jìn)行抽真空處理,當(dāng)爐體(1)內(nèi)真空度小于10-3Pa時(shí),加熱至300℃~800℃保溫進(jìn)行退火處理后,退火的條件為真空無氣體保護(hù),從而獲得所述低介電常數(shù)薄膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路用低介電常數(shù)薄膜層的制備工藝,其特征在于:所述步驟四中鼓泡氣體的流量為0.1sccm~1000sccm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路用低介電常數(shù)薄膜層的制備工藝,其特征在于:所述步驟四中鼓泡氣體為鼓泡氮?dú)饣蛘叨栊詺怏w,此惰性氣體為氬氣、氦氣和氖氣中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





