[發明專利]一種硅片母合金的制備方法

有效

• 申請號: 201410127558.6
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN104947187B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 呂學謙;孟華;銀波;郭增昌;范協誠
• 申請（專利權）人: 新特能源股份有限公司
• 主分類號: C30B28/14
• 分類號: C30B28/14;C30B29/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 羅建民,鄧伯英

1.一種硅片母合金的制備方法，其特征在于，將精制硅源氣體與第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氫化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氫化物中的一種或多種通入到流化床反應器內，并向流化床反應器內通入籽晶并使得該籽晶流體化，通過熱分解反應制得硅片母合金，其中，所述第IIIA族元素為硼或鋁，所述第VA族元素為磷或砷，所述精制硅源氣體采用精制氯硅烷低沸物，所述精制硅源氣體為精制氯硅烷的提純過程產生的沸點較低的氯硅烷，即塔頂采出氯硅烷，將所述精制硅源氣體通過吸附除去金屬雜質。

2.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述精制硅源氣體為甲硅烷、四氯化硅、三氯化硅、二氯化硅中的一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述籽晶的粒徑為0.10～0.50mm。

4.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述熱分解反應的溫度為600～1400℃。

5.根據權利要求4所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述熱分解反應的溫度為800～1200℃。

6.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述精制硅源氣體與所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氫化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氫化物中的一種或多種的摩爾數之和的摩爾比為(1000000：1)～(100：1)。

7.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述籽晶與所述精制硅源氣體的摩爾比為(1：10)～(1：1)。

8.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，向所述流化床反應器內通入所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氫化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氫化物中的一種或多種時使用載氣進行負載，所述載氣為氮氣、氫氣、氬氣或氦氣中的一種。

9.根據權利要求8所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述載氣與該載氣負載的所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氫化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氫化物中的一種或多種的摩爾數之和的摩爾比為(1000000：1)～(100：1)。

10.根據權利要求1所述的硅片母合金的制備方法，其特征在于，所述金屬雜質為鐵、銅、鈣、鋅、鋁中的一種或幾種。