[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410126538.7
• 申請(qǐng)日: 2014-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103928400A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白金超;丁向前;劉耀;李梁梁;郭總杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

當(dāng)前，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)（ADvanced?Super?Dimension?Switch，ADS）顯示模式由于優(yōu)越的顯示品質(zhì)得到廣泛發(fā)展，已成為全球業(yè)內(nèi)重要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。其中H-ADS（高開(kāi)口率ADS）模式是最先進(jìn)的工藝之一。

現(xiàn)有H-ADS顯示模式薄膜晶體管（TFT）陣列基板制備工藝流程如圖1a和1b所示：在襯底基板110上形成柵極120、柵線（圖中未示出）和公共電極線130（1次mask）；形成柵絕緣層140；形成有源層150；形成數(shù)據(jù)線（圖中未示出）、源極161及漏極162（1次mask）；形成第一透明電極170（1次mask）；形成鈍化層180及其上的過(guò)孔（1次mask）；形成第二透明電極190（1次mask）（Gate?Mask→SD?Mask→1st?ITO?Mask→Via?hole?Mask→2nd?ITO?Mask）。

上述工藝流程存在如下問(wèn)題：

在形成第一透明電極170工藝時(shí)，源極161和漏極162工藝已完成，TFT溝道（如圖1a在虛線框所示）會(huì)全部裸露在外部。第一透明電極170的材料通常為ITO（氧化銦錫）沉積時(shí)會(huì)給TFT溝道引入雜質(zhì)，造成TFT溝道污染。同時(shí)ITO刻蝕液殘留、溝道內(nèi)ITO殘留也會(huì)造成TFT溝道污染。TFT溝道決定著TFT的特性，TFT溝道污染會(huì)造成TFT特性異常，影響產(chǎn)品性能。

另外，在沉積鈍化層180之前，如果采用氫氣等離子體（H₂Plasma）處理TFT溝道，可以降低TFT的關(guān)態(tài)漏電流I_off，提高產(chǎn)品品質(zhì)。但是H₂Plasma會(huì)造成第一透明電極ITO被還原，產(chǎn)生霧狀不良。故現(xiàn)有H-ADS顯示模式TFT陣列基板制備工藝中鈍化層180沉積（PVX?Dep）前不能采用H₂Plasma處理，從而造成TFT的I_off較高，影響產(chǎn)品品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是：如何避免形成第一次透明電極ITO時(shí)在TFT溝道處殘留ITO及其刻蝕液雜質(zhì)。

（二）技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟：

在襯底基板上形成包括柵極、柵線、公共電極線及柵絕緣層的圖形；

形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極及有源層的圖形；

在所述源極、漏極及有源層的圖形之上形成包括絕緣間隔層的圖形；

在所述絕緣間隔層上形成包括第一透明電極的圖形；

在所述第一透明電極之上形成包括鈍化層的圖形；

在所述鈍化層之上形成包括第二透明電極的圖形。

其中，所述在所述絕緣間隔層上形成包括第一透明電極的圖形的步驟具體包括：

在所述絕緣間隔層上形成光刻膠；

采用雙調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，去除所述漏極圖形所在區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，部分保留第一透明電極圖形所在區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，完全保留其它區(qū)域的光刻膠；

刻蝕暴露出的絕緣間隔層，以形成所述第一過(guò)孔，使暴露出所述漏極；

灰化所述光刻膠，去除第一透明電極圖形所在區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，保留除第一透明電極和第一過(guò)孔區(qū)域以外的光刻膠；

形成第一透明導(dǎo)電薄膜，并剝離剩余的光刻膠及位于其上的第一透明導(dǎo)電薄膜，以形成第一透明電極，且通過(guò)所述第一過(guò)孔連接所述漏極。

其中，所述在所述鈍化層之上形成包括第二透明電極的圖形的步驟具體包括：

在所述鈍化層上對(duì)應(yīng)公共電極線的圖形所在區(qū)域形成第二過(guò)孔；形成第二透明電極，使所述第二透明電極通過(guò)所述第二過(guò)孔連接所述公共電極線。

其中，所述在所述絕緣間隔層上形成包括第一透明電極的圖形的步驟具體包括：

在所述絕緣間隔層上形成光刻膠；

采用雙調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，去除公共電極線圖形所在區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，部分保留第一透明電極圖形所在區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，完全保留其它區(qū)域的光刻膠；

刻蝕暴露出的絕緣間隔層，以形成所述第一過(guò)孔，使暴露出公共電極線；

灰化所述光刻膠，去除第一透明電極圖形所在區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，保留除第一透明電極和第一過(guò)孔區(qū)域以外的光刻膠；