[發明專利]用于射頻無源件和天線的方法、設備和材料

有效

• 申請號: 201410121564.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN104078451B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: V.K.奈爾;胡川;S.M.利夫;L.E.莫斯利
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 柯廣華,湯春龍

1.一種半導體封裝，包括：

襯底，所述襯底配置用于電氣連接到系統板；

連接到所述襯底的合成磁性層，其中所述磁性層由環氧樹脂中固化的磁性納米粒子形成；以及

在所述磁性層上面的天線。

2.如權利要求1所述的封裝，進一步包括半導體電路管芯，并且其中所述天線利用延伸通過所述磁性層的通孔耦合到所述管芯。

3.如權利要求2所述的封裝，其中所述管芯在所述天線的對側連接到所述襯底，并且其中所述天線通過在所述襯底中形成的通孔耦合到所述電路。

4.如權利要求1、2或3所述的封裝，進一步包括封裝蓋，并且其中所述磁性層被絲網印刷在所述封裝蓋上面。

5.如權利要求4所述的封裝，其中所述封裝蓋由模塑化合物形成。

6.如權利要求1所述的封裝，進一步包括封裝蓋，并且其中所述磁性層在所述襯底上，并且所述封裝蓋在所述襯底、所述磁性層和所述天線上面形成。

7.如權利要求1所述的封裝，其中所述天線由鍍銅形成。

8.如權利要求1所述的封裝，其中所述磁性納米粒子是鈍化的。

9.如權利要求8所述的封裝，其中所述納米粒子在固化的同時使用磁場來對準。

10.如權利要求8所述的封裝，其中所述磁性納米粒子包括涂敷了鈍化硅烷的二氧化硅粒子。

11.如權利要求1所述的封裝，其中所述磁性層包括聚合物接合劑。

12.一種電子組件，包括：

合成磁性納米復合材料，其具有對準的磁疇；

嵌入在所述納米復合材料內的導體；以及

接觸盤，所述接觸盤延伸通過所述納米復合材料以連接到所述導體。

13.如權利要求12所述的電子組件，其中所述導體是銅條，并且其中所述接觸盤各在所述銅條的相對端以形成電感器。

14.如權利要求13所述的電子組件，其中所述銅條是線狀的，以形成單匝電感器。

15.如權利要求12、13或14所述的電子組件，進一步包括：襯底，所述襯底用于承載所述納米復合材料；以及所述導體和介電壁，所述導體和介電壁用于隔離并包含所述納米復合材料。

16.一種方法，包括：

將磁性納米復合材料施加到具有襯底的封裝上，所述納米復合材料在環氧樹脂中具有磁性納米粒子；

對準所述磁性納米粒子的磁場；

固化所述樹脂以保持所述磁性納米粒子的對準；

將導電路徑施加到所述納米復合材料；以及

形成到所述導電路徑的連接器以使電子裝置完整。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述導電路徑是單匝電感器線圈。

18.如權利要求16或17所述的方法，其中對準所述磁場包括：加熱所述環氧樹脂，施加磁場，以及允許所述樹脂在所施加的磁場下固化。

19.如權利要求16或17所述的方法，其中所述磁性納米粒子被鈍化并且涂敷了二氧化硅。

20.如權利要求19所述的方法，其中所述磁性納米粒子用硅烷化合物來進行表面處理。

21.如權利要求20所述的方法，其中所述樹脂是有機熱固化樹脂。

22.如權利要求16所述的方法，進一步包括：在所述納米復合材料上形成天線，以及將所述天線連接到所述連接器。

23.如權利要求16所述的方法，進一步包括：在所述襯底上面形成蓋，其中施加所述納米復合材料包括在所述蓋上面施加所述材料，并且在所述納米復合材料上面形成天線。

24.一種合成磁性納米復合材料，包括：

多個磁性納米粒子；以及

有機熱固化樹脂，

其中所述磁性納米粒子在被固化的同時使用磁場來對準。

25.如權利要求24所述的材料，其中所述磁性納米粒子被鈍化，涂敷二氧化硅，用硅烷化合物來進行表面處理，填充所述樹脂超過80個體積百分比。