[發明專利]薄膜晶體管陣列面板

有效

• 申請號: 201410119693.6
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN104078468B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 金建熙;樸辰玹;李京垣;安秉斗;林志勛;林俊亨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/136
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本發明提供一種薄膜晶體管陣列面板，該薄膜晶體管陣列面板包括：柵電極，設置在襯底上；絕緣層，設置在柵電極上；氧化物半導體，設置在柵極絕緣層上；源電極，與氧化物半導體的一部分重疊；漏電極，與氧化物半導體的另一部分重疊；以及緩沖層，設置在氧化物半導體與源電極之間以及氧化物半導體與漏電極之間。緩沖層包括錫（Sn）作為摻雜材料。摻雜材料的重量百分比大于約0%并且小于或等于約20%。

技術領域

示例性實施方式涉及顯示技術，更具體地，涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。

背景技術

傳統液晶顯示器一般包括兩個具有電極的顯示面板以及設置在這兩個顯示面板之間的液晶層。通過這種方式，電壓可以被施加到電極來重新排列液晶層的液晶分子，以控制透射穿過液晶層的光的量，從而促進圖像的顯示。

薄膜晶體管（TFT）陣列面板一般被用作液晶顯示器中采用的兩個顯示面板中的一個。為此，TFT陣列面板可以被用作電路板來獨立地驅動液晶顯示器中的每個像素。應該理解，TFT陣列面板可以與各種平板顯示器諸如液晶顯示器（LCD）、有機發光二極管（OLED）顯示器、等離子體顯示器（PD）、電致發光（EL）顯示器、電泳顯示器（EPD）、電潤濕顯示器（EWD）等相關地使用。

一般的TFT陣列面板通常具有傳輸掃描信號的掃描信號線（或柵線）和傳輸圖像信號的圖像信號線（或數據線）。為此，傳統TFT陣列面板通常包括連接到柵線和數據線的薄膜晶體管、連接到薄膜晶體管的像素電極、覆蓋柵線并將柵線絕緣的柵極絕緣層、以及覆蓋薄膜晶體管和數據線并將薄膜晶體管和數據線絕緣的層間絕緣層。

當與平板顯示器相關地使用時，TFT陣列面板可以包括多個TFT，該多個TFT可以包括各種不同類型的半導體材料。例如，當氧化物半導體被用作TFT中所包括的半導體材料時，包括源電極和漏電極的金屬層的金屬成分會散布到氧化物半導體層。這樣，由氧化物半導體層形成的溝道層會退化。為了防止溝道層的退化，包括氧化物的緩沖層可以形成在包括源電極和漏電極的金屬層下面。然而，在包括源電極和漏電極的金屬層以及設置在其下面的緩沖層形成時，相對于蝕刻溶液和各種上述成分會產生蝕刻速率的差異。當緩沖層的蝕刻速率高時，源電極和漏電極下面的緩沖層會被過蝕刻。當緩沖層被過蝕刻時，源電極和漏電極會被電浮置。因而，薄膜晶體管會退化。

在本背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對本發明的背景技術的理解，因此它可以包含不構成在該國中對于本領域普通技術人員已經知曉的現有技術的信息。

發明內容

示例性實施方式提供一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法，以通過減小源電極和漏電極與設置在其下面的緩沖層之間的蝕刻速率的差異來防止（或以其他方式減少）薄膜晶體管退化的可能性。為此，示例性實施方式還有助于在氧化物半導體被用作薄膜晶體管的部分時防止包括源電極和漏電極的金屬層散布（或以其他方式遷移）到溝道層。

根據示例性實施方式，一種薄膜晶體管陣列面板包括：柵電極，設置在襯底上；氧化物半導體，設置在襯底上并與柵電極重疊；絕緣層，設置在柵電極與氧化物半導體之間；源電極，與氧化物半導體的一部分重疊；漏電極，與氧化物半導體的另一部分重疊；以及緩沖層，設置在氧化物半導體與源電極之間以及氧化物半導體與漏電極之間。緩沖層包括錫作為摻雜材料。摻雜材料的重量百分比大于約0%且小于或等于約20%。