[發明專利]一種測量剝離液中光阻的濃度的方法

在審

• 申請號: 201410118203.0
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN103900978A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 王俐
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G01N21/31
• 分類號: G01N21/31;G01N21/33
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 劉敏

技術領域

本發明涉及一種測量剝離液中光阻的濃度的方法。

背景技術

光阻（Photoresist，簡稱PR）廣泛應用于TFT行業中各膜層掩膜圖案的形成。光阻可分為負型光阻和正型光阻。正型光阻經曝光后，其曝光部分會變得更加容易溶于顯影液中，而未曝光部分在基板上留下圖案。

剝離液（Stripper）中的正型光阻含量通常采用紫外-可見分光光度法（UV-VIS）測量。現有的測量剝離液中光阻的濃度的方法通常為直接讀取吸光度法并建立數據庫。但這種方法操作復雜，應用意義不大。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種測量剝離液中光阻的濃度的方法，其可更準確地測定剝離液中光阻的濃度。

本發明通過如下技術方案實現：一種測量剝離液中光阻的濃度的方法，所述測量剝離液中光阻的濃度的方法包括以下步驟：

S102：制備光阻標樣；

S104：采集標樣及待測試的樣品對應的光譜；

S106：對所采集的光譜進行n階求導，得到并存儲第n階求導曲線，其中n為大于或等于1的整數；和

S108：基于所得到的第n階求導曲線建立標準曲線，計算待測試的樣品的光阻的濃度。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S102中，將光阻涂布在素玻璃上，經過曝光制程、顯影制程和蝕刻制程，將光阻刮取目標質量，在燒杯中模擬剝離過程，得到目標濃度的標樣。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S104中，利用紫外-可見分光光度計采集標樣及待測試的樣品的光譜。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S104包括以下步驟：

溶劑選擇：選擇合適的溶劑，并以該溶劑為測試參比液；

剝離液光譜采集：取一定量的新鮮剝離液，用所述溶劑稀釋一定倍數后，掃描在相同波長范圍內的吸收曲線；

標樣光譜采集：將多個目標濃度的標樣，用所述溶劑稀釋所述倍數后，掃描在相同波長范圍內的吸收曲線；

樣品光譜采集：取待測試的樣品，用所述溶劑稀釋所述倍數后，掃描在相同波長范圍內的吸收曲線。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S106中，將新鮮剝離液、標樣以及待測試的樣品的吸收曲線進行n階求導轉換，并保存各個轉換后的第n階求導曲線，其中n為1、2、3或4。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S108中，當新鮮剝離液的第n階求導曲線在第一波長處吸收為0，而標樣及待測試的樣品在第一波長處有一致波谷時，以第一波長處波谷值與標樣的光阻的濃度建立標準曲線。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S108中，當新鮮剝離液的第n階求導曲線在第二波長處吸收為0，而標樣及待測試的樣品在第二波長處有一致波峰時，以第二波長處波峰值與標樣的光阻的濃度建立標準曲線。

作為上述技術方案的進一步改進，所述S108中，當新鮮剝離液的第n階求導曲線在第三波長至第四波長區間吸收均為0，而標樣及待測試的樣品在第三波長處有一致波谷且在第四波長處有一致波峰時，以第三波長至第四波長的振幅與標樣的光阻的濃度建立標準曲線。

作為上述技術方案的進一步改進，所述剝離液為有機胺類剝離液。

作為上述技術方案的進一步改進，所述光阻為酚醛樹脂類正型光阻。

本發明的有益效果是：本發明的測量剝離液中光阻的濃度的方法中，先制備光阻標樣；接著采集標樣及待測試的樣品對應的光譜；然后對所采集的光譜進行n階求導，得到并存儲第n階求導曲線，其中n為大于或等于1的整數；最后基于所得到的第n階求導曲線建立標準曲線，計算待測試的樣品的光阻的濃度。依據建立好的標準曲線，可更準確地測定剝離液中光阻的濃度。

附圖說明

圖1是根據本發明的一個具體實施例的測量剝離液中光阻的濃度的方法中制備光阻標樣的步驟的示意圖；

圖2是顯示本發明的一個具體實施例的測量剝離液中光阻的濃度的方法中得到的第n階求導曲線在λ1處形成波谷的示意圖；

圖3是顯示本發明的一個具體實施例的測量剝離液中光阻的濃度的方法中得到的第n階求導曲線在λ2處形成波峰的示意圖；

圖4是顯示本發明的一個具體實施例的測量剝離液中光阻的濃度的方法中得到的第n階求導曲線在λ3處形成波谷并在λ4處形成波峰的示意圖；

圖5是根據本發明的一個具體實施例的測量剝離液中光阻的濃度的方法的流程示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的具體實施方式進行進一步的說明。