[發(fā)明專利]二氧化硅釋放工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410117472.5
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN104944364B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 賈照偉;王堅;王暉
• 申請（專利權）人: 盛美半導體設備(上海)有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

本發(fā)明提出了一種旨在抑制微細結構粘連的全新的二氧化硅釋放工藝。該二氧化硅釋放工藝包括：a.向工藝腔內通入催化氣體；b.向所述工藝腔內通入HF氣體，其中所述HF氣體在所述催化氣體的作用下同所述工藝腔內的二氧化硅反應；以及c.向所述工藝腔內通入F₂氣體或者XeF₂氣體，以與所述工藝腔中的H₂O反應。本發(fā)明的工藝的最終產物中不含有H₂O，因此一并避免了可能導致的微細結構粘連的問題。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體加工領域，尤其涉及一種二氧化硅釋放工藝。

背景技術

當前，微機電系統(tǒng)（MEMS）制造工藝的發(fā)展逐漸出現氣相HF刻蝕二氧化硅，來實現一些特殊結構的釋放，比如懸臂梁、陀螺儀和CMOS器件等。

主流的干法釋放工藝需要首先通入甲醇、或者乙醇或者異丙醇或者其他醇類氣體，把樣品表面濕潤并在反應中作為催化劑，之后通入無水HF氣體與二氧化硅反應。

在此過程中會生成大量的水，水氣一旦形成凝結會導致微細結構產生粘連，為了避免在后續(xù)產生粘連，需要持續(xù)不斷地通入甲醇氣體，而這類醇類氣體屬于易燃易爆，對生產設備車間有一定的危險性，成本也會比較高。

發(fā)明內容

針對現有技術的上述技術問題，本發(fā)明特別提出了一種旨在抑制微細結構粘連的全新的二氧化硅釋放工藝。

具體地，本發(fā)明提供了一種二氧化硅釋放工藝，包括：

a.向工藝腔內通入催化氣體；

b.向所述工藝腔內通入HF氣體，其中所述HF氣體在所述催化氣體的作用下同所述工藝腔內的二氧化硅反應；以及

c.向所述工藝腔內通入F₂氣體或者XeF₂氣體，以與所述工藝腔中的H₂O反應。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，所述步驟b和所述步驟c同時進行。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，所述步驟c在所述步驟b之后進行。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，在所述步驟c之后，該二氧化硅釋放工藝還包括：d.檢測所述工藝腔內的O₂含量；以及e1.若檢測到的O₂含量在一預定時間段內保持小于一預設O₂含量，則結束該二氧化硅釋放工藝。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，在所述步驟d之后，該二氧化硅釋放工藝還包括：e2.若檢測到的O₂含量未在所述預定時間段內保持小于所述預設O₂含量，則排空所述工藝腔，然后重復執(zhí)行所述步驟a～步驟d，直到當檢測到的O₂含量在所述預定時間段內保持小于所述預設O₂含量時執(zhí)行上述步驟e1。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，所述催化氣體為氣態(tài)的水、乙醇、甲醇或者異丙醇。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，所述步驟a進一步包括：在通入催化氣體的同時從所述工藝腔的出氣口抽出氣體以將所述工藝腔的真空壓力保持于5托至500托之間。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，所述步驟c中的所述F₂氣體或者XeF₂氣體的通入量同所述步驟b中的HF氣體的通入量之比大于1:2。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，所述HF氣體是無水HF氣體。

較佳地，在上述的二氧化硅釋放工藝中，在所述步驟a之前或者在所述步驟e1之后，該二氧化硅釋放工藝還包括：用氮氣對所述工藝腔內部進行吹掃。