[發明專利]二氧化硅釋放工藝有效
| 申請號： | 201410117472.5 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN104944364B | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發明（設計）人： | 賈照偉;王堅;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二氧化硅 釋放 工藝 | ||
1.一種二氧化硅釋放工藝，其特征在于，包括：
a.向工藝腔內通入催化氣體，在通入催化氣體的同時從所述工藝腔的出氣口抽出氣體以將所述工藝腔的真空壓力保持于5托至500托之間；
b.向所述工藝腔內通入HF氣體，其中所述HF氣體在所述催化氣體的作用下同所述工藝腔內的二氧化硅反應；以及
c.向所述工藝腔內通入F2氣體或者XeF2氣體，以與所述工藝腔中的H2O反應，所述F2氣體或者XeF2氣體的通入量同所述步驟b中的HF氣體的通入量之比大于1:2。
2.如權利要求1所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，所述步驟b和所述步驟c同時進行。
3.如權利要求1所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，所述步驟c在所述步驟b之后進行。
4.如權利要求2或3所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，在所述步驟c之后，該二氧化硅釋放工藝還包括：
d.檢測所述工藝腔內的O2含量；以及
e1.若檢測到的O2含量在一預定時間段內保持小于一預設O2含量，則結束該二氧化硅釋放工藝。
5.如權利要求4所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，在所述步驟d之后，該二氧化硅釋放工藝還包括：
e2.若檢測到的O2含量未在所述預定時間段內保持小于所述預設O2含量，則排空所述工藝腔，然后重復執行所述步驟a～步驟d，直到當檢測到的O2含量在所述預定時間段內保持小于所述預設O2含量時執行上述步驟e1。
6.如權利要求1所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，所述催化氣體為氣態的水、乙醇、甲醇或者異丙醇。
7.如權利要求1所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，所述HF氣體是無水HF氣體。
8.如權利要求4所述的二氧化硅釋放工藝，其特征在于，在所述步驟a之前或者在所述步驟e1之后，該二氧化硅釋放工藝還包括：用氮氣對所述工藝腔內部進行吹掃。
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