[發(fā)明專利]涂層的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410114618.0
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN104952704B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章國偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F7/16
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種涂層的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，向所述半導(dǎo)體襯底表面噴灑涂層材料，所述涂層材料具有第一流動(dòng)性；

采用第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一旋涂工藝，使涂層材料覆蓋于半導(dǎo)體襯底表面；

對所述覆蓋于半導(dǎo)體襯底表面的涂層材料進(jìn)行第一烘烤處理，在半導(dǎo)體襯底表面依次形成第一材料層以及第二材料層，其中，第一材料層的材料具有第二流動(dòng)性，且所述第二流動(dòng)性小于第一流動(dòng)性，第二材料層的材料具有第三流動(dòng)性，且所述第三流動(dòng)性大于第二流動(dòng)性、小于或等于第一流動(dòng)性；

采用第二速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二旋涂工藝，使具有第三流動(dòng)性的第二材料層的材料在第一材料層表面流動(dòng)，直至形成具有均勻厚度的第三材料層；

對所述第一材料層和第三材料層進(jìn)行第二烘烤處理，形成位于半導(dǎo)體襯底表面的涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，在所述第一旋涂工藝之后，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一烘烤處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，在所述第一旋涂工藝之后第二烘烤處理之前，重復(fù)進(jìn)行若干次第一烘烤處理，且在每次第一烘烤處理后進(jìn)行第二涂布工藝，在第二烘烤處理之前形成具有均勻厚度的第三材料層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述涂層的形成方法，其特征在于，在所述第一旋涂工藝之后第二烘烤處理之前，重復(fù)進(jìn)行3次第一烘烤處理的步驟包括：

對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一次第一烘烤處理，在半導(dǎo)體襯底表面依次形成第二材料層和第四材料層；

對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一次第二旋涂工藝，將第四材料層轉(zhuǎn)化為第五材料層；

對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二次第一烘烤處理，使第二材料層的厚度增加轉(zhuǎn)化為第六材料層，第五材料層的厚度減小轉(zhuǎn)化為第七材料層；

對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二次第二旋涂工藝，將第七材料層轉(zhuǎn)化為第八材料層；

對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第三次第一烘烤處理，使第六材料層厚度增加轉(zhuǎn)化為第一材料層，第八材料層厚度減小轉(zhuǎn)化為第九材料層；

對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第三次第二旋涂工藝，將第九材料層轉(zhuǎn)化為具有均勻厚度的第三材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述涂層的形成方法，其特征在于，所述第二次第二旋涂工藝的旋涂速率大于第一次第二旋涂工藝的旋涂速率，所述第三次第二旋涂工藝的旋涂速率大于第二次第二旋涂工藝的旋涂速率。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述涂層的形成方法，其特征在于，所述第一烘烤處理為快速烘烤。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述涂層的形成方法，其特征在于，所述快速烘烤的工藝參數(shù)為：烘烤溫度為90℃至200℃，烘烤時(shí)長為1S至300S。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，同時(shí)進(jìn)行所述第一旋涂工藝和第一烘烤處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述涂層的形成方法，其特征在于，所述第一烘烤處理的工藝參數(shù)為：烘烤溫度為90℃至200℃，烘烤時(shí)長為1S至300S。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，所述第二速率大于第一速率。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述涂層的形成方法，其特征在于，所述第一速率為400轉(zhuǎn)/分至1000轉(zhuǎn)/分，所述第二速率為1000轉(zhuǎn)/分至2000轉(zhuǎn)/分。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，所述涂層的材料為光刻膠。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述涂層的形成方法，其特征在于，所述光刻膠為聚酰亞胺；所述涂層的厚度為50μm至5000μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，所述涂層材料位于半導(dǎo)體襯底表面的中央?yún)^(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層的形成方法，其特征在于，所述第二烘烤處理的工藝參數(shù)為：烘烤溫度為100度至400度，烘烤時(shí)長為100S至1000S。