[發(fā)明專利]研磨墊、研磨機臺及研磨方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410110064.7 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103862364A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁弋;朱也方;嚴(yán)鈞華 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/20 | 分類號： | B24B37/20;B24B37/04;B24B37/34 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 研磨 機臺 方法 | ||
1.一種研磨墊，其特征在于，所述研磨墊包括底層，所述底層包括一疏水層表面，所述疏水表面的接觸角大于等于90°。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述疏水表面為一疏水薄膜，所述疏水薄膜位于所述底層上。
3.如權(quán)利要求2所述的研磨墊，其特征在于，所述疏水薄膜為連接在所述底層上的疏水基團(tuán)。
4.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述底層上具有凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)形成所述疏水表面。
5.如權(quán)利要求4所述的研磨墊，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的粒徑范圍為3μm～30μm。
6.一種研磨機臺，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任意一項所述的研磨墊。
7.如權(quán)利要求6所述的研磨機臺，其特征在于，所述研磨機臺還包括一吹氣裝置，所述吹氣裝置面向所述疏水表面，向所述疏水表面吹掃氣體。
8.一種研磨方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求6所述的研磨機臺進(jìn)行研磨。
9.如權(quán)利要求8所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨機臺還包括一吹氣裝置，所述吹氣裝置面向所述疏水表面，在所述研磨機臺進(jìn)行研磨時，所述吹氣裝置向所述疏水表面吹掃氣體。
10.如權(quán)利要求8所述的研磨方法，其特征在于，采用所述研磨機臺對金屬鋁進(jìn)行研磨。
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