[發明專利]一種在線實時控制硅片背壓的結構及方法有效
| 申請號: | 201410106493.7 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103928368B | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發明(設計)人: | 龔薈卓;仇建華;金懿 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 在線 實時 控制 硅片 結構 方法 | ||
1.一種在線實時控制硅片背壓的結構,其特征在于,包括硅片、承載臺、內圈真空管道、外圈真空管道和控制器,所述硅片的背面包括內圈和外圈,所述硅片的背面與所述承載臺連接,所述內圈真空管道和外圈真空管道設于所述承載臺上,所述內圈真空管道和外圈真空管道分別通過壓力吸附所述硅片背面的內圈和外圈,所述控制器分別與所述內圈真空管道和外圈真空管道連接,并分別控制所述內圈真空管道和外圈真空管道的壓力,還包括溫度傳感器,所述溫度傳感器分別與所述硅片的內圈、外圈以及控制器相連,并分別檢測所述硅片內圈、外圈的溫度并傳遞至所述控制器,以控制所述硅片內圈和外圈的溫度。
2.如權利要求1所述的在線實時控制硅片背壓的結構,其特征在于,所述控制器為可編輯邏輯控制器。
3.如權利要求2所述的在線實時控制硅片背壓的結構,其特征在于,所述控制器中還設有IOC模塊。
4.如權利要求3所述的在線實時控制硅片背壓的結構,其特征在于,所述控制器中還設有UI模塊。
5.如權利要求4所述的在線實時控制硅片背壓的結構,其特征在于,所述溫度傳感器中包括光纖束及與所述光纖束相連的高溫計。
6.一種在線實時控制硅片背壓的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1,形成如權利要求2至5任一項所述的在線實時控制硅片背壓的結構;
步驟2,通過所述溫度傳感器分別檢測所述硅片內圈和外圈的溫度;
步驟3,所述控制器根據所述硅片內圈和外圈的溫度分別控制所述內圈真空管道和外圈真空管道的壓力,以分別調節所述硅片內圈和外圈的背壓,并最終控制所述硅片內圈和外圈的溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





