[發明專利]一種芯片清洗方法及裝置

在審

• 申請號: 201410106301.2
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN104923504A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 楊志勇;楊勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種芯片清洗方法，其特征在于，所述芯片清洗方法至少包括霧化噴洗步驟，所述霧化噴洗步驟中通過霧化噴洗裝置將清洗劑噴射于待清洗的芯片表面；所述清洗劑包括氮氣、氨氣、二氧化碳和去離子水的氣液混合物；所述氣液混合物中混合液的水阻值為50～80KΩ·CM。

2.根據權利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于：所述氮氣的流量范圍為70～80升/分鐘。

3.根據權利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于：所述二氧化碳的流量范圍為0.5～1.0升/分鐘。

4.根據權利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于：所述氨氣的流量范圍為0.1～0.3升/分鐘。

5.根據權利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于：所述去離子水的流量范圍為75～85升/分鐘。

6.根據權利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于：通過所述霧化噴洗裝置先將氮氣和二氧化碳混合形成混合氣體、氨氣通入去離子水中形成氨水，之后將所述混合氣體與氨水混合形成氣液混合物噴射于待清洗的芯片表面。

7.根據權利要求6所述的芯片清洗方法，其特征在于：所述氨水的濃度范圍為0.1～0.3%。

8.根據權利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于：進行霧化噴洗步驟之后還包括用流量為40～60升/分鐘的去離子水清洗芯片的步驟。

9.一種如權利要求1～8任一項所述的芯片清洗方法的芯片清洗裝置，其特征在于，所述芯片清洗裝置至少包括霧化噴洗裝置，所述霧化噴洗裝置包括氮氣導入部件、氨氣導入部件、二氧化碳導入部件和去離子水導入部件，所述氮氣導入部件的出口、氨氣導入部件的出口、二氧化碳導入部件的出口和去離子水導入部件的出口與一連接件連通，所述連接件上還設置有噴嘴。

10.根據權利要求9所述的芯片清洗裝置，其特征在于：所述氮氣導入部件、二氧化碳導入部件通過第一導管與所述連接件連通；所述氨氣導入部件、去離子水導入部件通過第二導管與所述連接件連接。

11.根據權利要求10所述的芯片清洗裝置，其特征在于：所述氨氣導入部件上裝設有閥門和流量調節器。

12.根據權利要求9所述的芯片清洗裝置，其特征在于：所述噴嘴距離所述待清洗的芯片的距離的范圍為1～3cm。