[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410105968.0
• 申請(qǐng)日: 2014-03-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104078543A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金泰根;樸相永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英迪股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括：

p型半導(dǎo)體層；

活性層，其形成于所述p型半導(dǎo)體層的上表面；

n型半導(dǎo)體層，其形成于所述活性層的上表面；

p型電極，其向所述p型半導(dǎo)體層提供空穴；以及

n型電極，其向所述n型半導(dǎo)體層提供電子，

其中，所述n型電極的底面為中央部凸出的形狀。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于：

所述n型電極的底面為V字形或U字形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于，還包括：

反射層，其形成于所述n型電極的底面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其特征在于，還包括：

歐姆接觸層，其形成于所述反射層的底面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其特征在于：

所述n型電極包括鎳及金中的至少任一種，所述反射層包括鋁及銀中的至少任一種，所述歐姆接觸層包括鈦及鉻中的至少任一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其特征在于，還包括：

絕緣層，其形成于所述反射層的底面。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其特征在于：

所述n型電極包括鎳、金及鈦中的至少任一種，所述反射層包括鋁及銀中的至少任一種，所述絕緣層包括氧化硅或氮化硅。

8.一種發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括：

準(zhǔn)備由p型半導(dǎo)體層、所述p型半導(dǎo)體層的上表面的活性層及所述活性層的上表面的n型半導(dǎo)體層構(gòu)成的半導(dǎo)體層的步驟；

在所述n型半導(dǎo)體層的上表面蝕刻出V字形或U字形槽的步驟；以及

形成填充所述V字形或U字形槽的n型電極的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述形成填充所述V字形或U字形槽的n型電極的步驟之前，在V字形或U字形槽的表面形成反射層的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述V字形或U字形槽的表面形成反射層的步驟之前，在所述V字形或U字形槽的表面形成歐姆接觸層的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述V字形或U字形槽的表面形成反射層的步驟之前，在所述V字形或U字形槽的表面形成絕緣層的步驟。