[發明專利]一種MEMS器件切割方法有效
| 申請號： | 201410105966.1 | 申請日： | 2014-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN104925741B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 鄭超;王偉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 器件 切割 方法 | ||
1.一種MEMS器件切割方法，其特征在于，所述MEMS器件切割方法至少包括步驟：
提供邊緣具有一第一刻痕的襯底晶圓，在所述第一刻痕兩側定義兩條平行的預切割道，并在所述切割道上設置切割對準標記；所述襯底晶圓關于所述預切割道對稱；
提供邊緣具有一第二刻痕的蓋帽晶圓；將所述蓋帽晶圓鍵合于所述襯底晶圓上，并使所述第二刻痕與所述第一刻痕呈對角對準；
切割去除所述蓋帽晶圓上除第二刻痕外的邊緣部分，以暴露出所述襯底晶圓上的第一刻痕；
對準所述第一刻痕和第二刻痕對應平行的兩側進行預切割，暴露出所述預切割道上的切割對準標記；
根據所述切割對準標記切割與所述預切割道垂直的切割道，并根據兩條所述預切割道間的距離切割與所述預切割道平行的切割道，最終完成MEMS器件的切割工藝。
2.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述襯底晶圓上還包括陣列排列的器件區。
3.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：兩條所述預切割道之間的距離為1.5～2.5mm。
4.根據權利要求3所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：兩條所述預切割道之間的距離為2mm。
5.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：采用光源曝光的方式在所述襯底晶圓和蓋帽晶圓的切割道上制作相對應的鍵合標記，通過鍵合標記使鍵合后的所述蓋帽晶圓的第二刻痕與襯底晶圓的第一刻痕呈對角對準。
6.根據權利要求1或5所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述第二刻痕與所述第一刻痕對準時偏移5～10μm。
7.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述第一刻痕為V型刻痕。
8.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述第二刻痕為V型刻痕。
9.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：切割去除所述蓋帽晶圓上除第二刻痕外的邊緣部分的寬度為0.8～1.2mm。
10.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：所述切割對準標記為十字型。
11.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：在所述蓋帽晶圓和襯底晶圓進行鍵合后、切割去除所述蓋帽晶圓上除第二刻痕外的邊緣部分之前，還包括對所述蓋帽晶圓表面進行減薄的步驟。
12.根據權利要求1所述的MEMS器件切割方法，其特征在于：完成MEMS器件切割之后還需要對MEMS器件進行去離子水清洗。
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