[發明專利]一種豇豆高產種植方法有效
| 申請號: | 201410104708.1 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103918530A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 晉傳生 | 申請(專利權)人: | 蕪湖晉誠農業科技有限公司 |
| 主分類號: | A01G31/00 | 分類號: | A01G31/00;A01C1/00 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人: | 劉躍 |
| 地址: | 241100 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 豇豆 高產 種植 方法 | ||
1.一種豇豆高產種植方法,其特征在于,具體包括以下內容:
(1)大棚種植;選擇通風性好、調溫調濕方便且保溫效果高的高溫日光大棚種植;
(2)選擇優良品種:選擇早熟、抗病、高產、優質的品種如張塘二號豇豆、早生王豇豆、黑籽王豇豆等;?
(3)?采用基質穴盤育苗:在定植前18-22天播種,育苗溫度為25-35℃,豇豆播前將種子放入0.1%高錳酸鉀溶液中浸泡8-10分鐘,然后放入23-25℃的溫水中浸種3-5小時,期間換水1-2次,然后撈起,用清水沖洗干凈后,再采用微波處理10-15s后,即可播種,?先將穴盤內的基質澆足底水,水滲下后用基質薄撒一層,找平穴盤表面基質,而后將種子直播至穴盤孔穴中,播種后覆蓋基質0.8?cm-1.0cm,每穴孔播種2-3粒種子,再在穴盤上覆蓋1層地膜,出苗前保持溫度28~33℃,出苗后適時通風降溫,以免造成秧苗徒長,溫度掌握在23~25℃為宜;其中,基質的配制方法為:首先按重量比為泥炭∶香菇渣∶蛭石=1∶1∶1的比例混合得到混合料;?按每1m3混合料中加50%多菌靈可濕性粉劑200g,中草藥殺菌粉劑45g,同時加入氮磷鉀三元復合肥1kg,200-300g維生素C,混拌均勻,即得到基質;
?(4)定植:定植前先整地施足基肥,一般畝用優質有機肥5000~6000kg、硫酸鉀75—100kg,過磷酸鈣100—150kg,硼砂2kg、然后深耕24-26厘米,耙平后建畦,起壟,要求壟面寬75-85cm、溝寬35-45cm、壟高35-45cm,等到育苗期達到28天左右時,進行移栽定植,每壟定植2行、株距30cm、畝用苗3300-3500株;
(5)摘頂:定植后在30-35℃的溫度下,豇豆生長8-12天開始摘頂;
(6)引蔓和整枝??豇豆長到5~6片葉時開始搭架,?每株插入1根毛竹桿?,桿高2~2.3m,插好后要及時人工輔助引蔓上架,最好選擇晴天的午后進行,此時莖蔓較柔韌,不易在操作時被折斷;?當豇豆植株長到9-10葉時,長度為1.5米左右時要及時摘除頂心,當側蔓上長出一葉時保留1葉上生長點及花穗再摘除頂心,一般第一花序坐穩果后施1次肥,以后每隔1周施1次,每畝施10~15kg氮鉀復合肥,期間每采收2~3次,用1%~2%的尿素噴施葉面,可使葉片增厚、增色,延長采收期,有效提高結莢率;
(7)病蟲害防治;
?(8)適時采收。
2.根據權利要求1所述的豇豆高產種植方法,其特征在于:步驟(2)中所述的穴盤為50孔的育苗盤,規格為54cm×27cm。
3.根據權利要求1所述的豇豆高產種植方法,其特征在于:步驟(2)中所述的中草藥殺菌粉劑的配制方法為:a、按重量份稱取下列中草藥原料藥百部20-30、貫眾30-40、露蜂房30-40、蘆薈葉20-30、梵天花30-40、龍眼樹皮30-40、麻柳樹根30-40、蒲公英30-40、艾葉30-40、枯礬20-30、苦參20-30、蛇床子20-30;b、將稱取的原料藥自然干燥后粉碎,置70℃條件下用85-95%酒精回流提取3-4次,每次2-3小時,過濾回流液合并,噴霧干燥,得到的中草藥浸提粉末,即可。
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