[發明專利]具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構有效
| 申請號： | 201410104489.7 | 申請日： | 2014-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN103824855A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 田劍彪;王堅奎;俞明華 | 申請（專利權）人： | 紹興光大芯業微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 312000*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 電源 反接 保護 功能 cmos 調整 集成電路 結構 | ||
1.一種具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構，其特征在于，所述的電路結構包括：
第一PMOS管，所述的第一PMOS管的源極與所述的電路結構的接電源端相連接；
第三PMOS管，所述的第三PMOS管的源極與所述的電路結構的接電源端相連接，所述的第三PMOS管的漏極與所述的電路結構的電源輸出端相連接；
第一寄生二極管，所述的第一寄生二極管的陽極與接地端相連接，所述的第一寄生二極管的陰極與所述的第一PMOS管的背柵極相連接；
第三寄生二極管，所述的第三寄生二極管的陽極與接地端相連接，所述的第三寄生二極管的陰極與所述的第三PMOS管的背柵極相連接；
第一電阻，所述的第一電阻的第一端與接電源端相連接，所述的第一電阻的第二端分別與所述的第一寄生二極管的陰極和第三寄生二極管的陰極相連接。
2.根據權利要求1所述的具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構，其特征在于，所述的電路結構還包括：
第二PMOS管，所述的第二PMOS管的源極與所述的電路結構的接電源端相連接；
第二寄生二極管，所述的第二寄生二極管的陽極與接地端相連接，所述的第二寄生二極管的陰極分別與所述的第二PMOS管的背柵極和第一電阻的第二端相連接。
3.根據權利要求2所述的具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構，其特征在于，所述的電路結構還包括：
第一NMOS管，所述的第一NMOS管的漏極與所述的第一PMOS管的漏極相連接。
4.根據權利要求3所述的具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構，其特征在于，所述的電路結構還包括：
第三NMOS管，所述的第三NMOS管的漏極與所述的第一NMOS管的源極相連接，所述的第三NMOS管的源極與接地端相連接，所述的第三NMOS管的柵極與偏置電壓相連接。
5.根據權利要求4所述的具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構，其特征在于，所述的電路結構還包括：
第二NMOS管，所述的第二NMOS管的漏極與所述的第二PMOS管的漏極相連接，所述的第二NMOS管的源極與所述的第三NMOS管的漏極相連接。
6.根據權利要求5所述的具有電源反接保護功能的CMOS調整集成電路結構，其特征在于，所述的電路結構還包括：
第二電阻，所述的第二電阻的第一端與所述的第三PMOS管的漏極相連接，所述的第二電阻的第二端與所述的第一NMOS管的柵極相連接；
第三電阻，所述的第三電阻的第一端與所述的第二電阻的第二端相連接，所述的第三電阻的第二端與接地端相連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
