[發明專利]一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器有效
| 申請號: | 201410103619.5 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103915526A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 項疆騰;王信群;袁昌明 | 申請(專利權)人: | 項疆騰 |
| 主分類號: | H01L31/107 | 分類號: | H01L31/107;H01L31/024 |
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| 地址: | 310018 浙江省杭州市江干區下沙高*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 散熱 裝置 雪崩 光電二極管 耦合器 | ||
技術領域
本發明屬于光電檢測技術領域,具體涉及一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器。
背景技術
雪崩光電二極管(APD)具有響應速度快、量子效率高、噪聲小等優點,是微弱光信號轉變成電信號的重要器件。但APD的增益會隨該器件所處環境溫度的變化而發生波動,影響應用系統的穩定性,因而保持其工作在恒溫狀態十分重要。
為了保持其增益穩定性,可將微型半導體制冷器與APD整體封裝制成APD組件,如申請號為201110309963.6就公開了一種帶溫控功能的APD-TIA同軸型光電組件及制造方法,在工作過程中,根據環境溫度的變化使得半導體制冷器制冷或制熱,從而使APD工作溫度保持恒定。但當微型半導體制冷器制冷時,所產生的熱量如不能快速向周圍環境散失,制冷效果將受到極大削弱。現有的散熱方式主要依賴APD耦合器自然散熱,效率較低。
發明內容
本發明的目的是提供一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器,來彌補現有耦合器結構設計的不足,以滿足生產和應用的需求。
本發明一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器,包括散熱裝置和耦合器本體;所述散熱裝置由基板和肋片構成,基板上有通孔;所述耦合器本體一側為光纖跳線接頭,另一側為APD接頭;光纖跳線接頭內部有變徑通孔;?APD接頭內部有空腔;其特征在于:在耦合器本體上增加了散熱裝置。
作為本發明的優選方案:散熱裝置由主散熱裝置和輔助散熱裝置組成,主散熱裝置與輔助散熱裝置的基板尺寸相同,兩者緊密貼合,且主散熱裝置位于輔助散熱裝置上方。
本發明一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器與現有耦合器相比較,由于本發明在現有技術的基礎上,加裝了散熱裝置,可增大散熱量,避免熱量的集聚。本發明耦合器結構合理,加工方便,安裝簡單,滿足批量生產、使用的需要。
附圖說明
圖1為本發明一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器的剖視圖;
圖2為耦合器本體的剖視圖;
圖3為內芯的剖視圖;
圖4為主散熱裝置與輔助散熱裝置的剖視圖。
具體實施方式
?實施例1:
?圖1為本發明一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器的剖視圖;圖2為耦合器本體的剖視圖;圖3為內芯的剖視圖;圖4為主散熱裝置與輔助散熱裝置的剖視圖。如上述附圖所示,本發明一種自帶散熱裝置的雪崩光電二極管耦合器,包括散熱裝置1和耦合器本體2。
所述散熱裝置1由主散熱裝置4和輔助散熱裝置5組成。主散熱裝置4材質為鋁型材,尺寸為50mm×30mm×22.5mm;基板4a厚度4.6mm;在基板4a上,左右兩側各均布3片肋片4c,高度均為17.9mm,厚度均為1.1mm,間距為7mm;在基板4a中心上有一個帶螺紋的通孔4b,直徑18mm,螺距為0.75mm;兩個螺孔4d位于基板4a縱向中心線上,距離基板4a中心均為12.25mm,螺紋規格為M3×0.5。輔助散熱裝置5材質為鋁型材,尺寸為50mm×30mm×3mm;基板5a厚度1.5mm;在基板5a上,左右兩側各均布4片肋片5c,高度均為1.5mm,厚度均為1mm,間距為1.7mm;在基板5a中心上有一個直徑為18mm的通孔5b;兩個直徑為3mm的通孔5d位于基板5a縱向中心線上,距離基板5a中心均為12.25mm。裝配時使用M3×0.5螺釘連接主散熱裝置4和輔助散熱裝置5。
所述耦合器本體2由黃銅制成,表面鍍鉻,一側為光纖跳線接頭2a,另一側為帶外螺紋的APD接頭2d。光纖跳線接頭2a外部螺紋2f的規格為M8×0.75,上部開有一個寬度為2.2mm、高度為2mm的缺口2e,內部具有變徑通孔2b,自上而下三個孔的直徑分別為6.1mm、4.35mm和6.4mm,深度分別為3.8mm、2.75mm和1.7mm;光纖跳線接頭2a可與FC光纖跳線接頭連接。APD接頭2d外部具有M18×0.75的外螺紋2g,與主散熱裝置4上的通孔4b連接,內部為空腔2c,直徑為14mm,深度為6.5mm,用于放置APD。
可在所述光纖跳線接頭2a內安裝內芯3;內芯3由直徑分別為4.35mm和6.4mm的不銹鋼圓柱3a構成,高度分別為6mm、1.5mm;內芯3內部具有變徑通孔3b,自上而下,兩個孔的直徑分別為2.5mm、0.8mm,深度分別為6.5mm、1mm。
裝配時,在空腔2c內部均勻的涂抹一層具有粘性的導熱硅膠。
實施例2:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





