[發明專利]半位元線高電平電壓產生器、存儲器裝置與驅動方法

有效

• 申請號: 201410103292.1
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN104637523B
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 陳至仁
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279
• 代理人: 王正茂,叢芳

技術領域

本發明涉及一種集成電路，且特別涉及半位元線高電平電壓產生器。

背景技術

在執行讀寫操作時，存儲器元件(例如為動態隨機存取存儲器)會被半位元線高電平電壓(常為系統供應電壓VCC的一半)所驅動。

半位元線高電平電壓通?？捎赏仆焓诫妷寒a生器所產生。在推挽式電壓產生器中的一些環境退化因素所引起的元件不匹配現象與偏移(offset)電壓可能會引起橫流電流(cross current)。此橫流電流會導致存儲器裝置的待機電流(standby current)增加，進而產生更多功率消耗。

因此，如何能降低存儲器裝置的橫流電流，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域極需改進的目標。

發明內容

本發明的目的在于，降低存儲器裝置的橫流電流，進而降低存儲器裝置的待機電流，以節約功率消耗。

為了解決上述的問題，本發明提供了一種半位元線高電平電壓產生器。該半位元線高電平電壓產生器包含控制模塊、驅動模塊以及監測模塊?？刂颇K用以根據更新信號與半位元線高電平電壓產生第一控制信號與第二控制信號。驅動模塊用以根據第一控制信號與第二控制信號產生半位元線高電平電壓至存儲器裝置。監測模塊用以監測橫流電流是否流經驅動模塊并產生更新信號，借此調整驅動模塊以降低橫流電流。

本發明又一個方面在于提供一種存儲器裝置。該存儲器裝置包含傳輸單元、儲存電容以及半位元線高電平電壓產生器。傳輸單元用以根據選擇信號選擇性傳輸資料信號。儲存電容的第一端電性耦接傳輸單元，以儲存資料信號，儲存電容的第二端用以接收半位元線高電平電壓。半位元線高電平電壓產生器包含第一放大器、第二放大器與監測模塊。第一放大器用以根據第一參考電壓與半位元線高電平電壓產生第一控制信號。第二放大器用以根據第二參考電壓與半位元線高電平電壓產生第二控制信號，其中半位元線高電平電壓產生器根據第一控制信號與第二控制信號產生半位元線高電平電壓。監測模塊用以監測第一放大器與第二放大器之間的偏移電壓，并產生更新信號，以調整半位元線高電平電壓產生器，借此降低偏移電壓。

本發明的另一個方面在于提供用以驅動存儲器元件的驅動方法。該驅動方法包含下列步驟：自第一放大器產生第一控制信號；自第二放大器產生第二控制信號；根據第一控制信號與第二控制信號產生半位元線高電平電壓，其中半位元線高電平電壓用以驅動存儲器元件；根據第一控制信號與第二控制信號產生更新信號；以及根據更新信號調整第一控制信號與第二控制信號，以減低存儲器元件的待機電流。

綜上所述，本發明的技術方案與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。通過上述技術方案，可達到相當的技術進步，并具有產業上的廣泛利用價值，本發明技術內容可降低自半位元線高電平電壓產生器的電路的元件不匹配或偏移電壓所引起的橫流電流，進而減少了存儲器裝置的待機電流。

附圖說明

為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下：

圖1為根據本發明的一些實施例的一種存儲器裝置的示意圖；

圖2A為根據本發明的一些實施例的一種半位元線高電平電壓的方塊圖；

圖2B為根據本發明的一些實施例的一種半位元線高電平電壓產生器的示意圖；

圖2C為根據本發明的一些實施例的禁區控制單元的示意圖；

圖2D為根據本發明的一些實施例的一種分壓單元的示意圖；

圖2E為根據本發明的一實施例的橫流電流、更新信號、第一參考電壓與第二參考電壓的波形圖；

圖3A為根據本發明的一些實施例的半位元線高電平電壓產生器的示意圖；

圖3B為根據本發明的一些實施例的一種分壓單元的示意圖；

圖3C為根據本發明的一實施例的橫流電流、第一參考電壓與第二參考電壓的波形圖；

圖3D為根據本發明的一實施例中的橫流電流的波形圖；以及

圖4為根據本發明的一些實施例的一種驅動方法的流程圖。

具體實施方式

下文舉實施例配合附圖作詳細說明，但所提供的實施例并非用以限制本發明所涵蓋的范圍，而結構操作的描述并非用以限制其執行的順序，任何由元件重新組合的結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本發明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。為便于理解，下述說明中相同元件將以相同的符號標示來說明。