[發明專利]讀寫接觸式硬盤的磁頭、硬盤設備及轉移方法有效
| 申請號： | 201410100304.5 | 申請日： | 2014-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN103824566A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 鄭泉水;張首沫 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | G11B5/255 | 分類號： | G11B5/255;G11B5/53;G11B5/60 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 馬佑平;王昭智 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 讀寫 接觸 硬盤 磁頭 設備 轉移 方法 | ||
1.一種讀寫接觸式硬盤的磁頭，包括磁頭滑塊，其特征在于：所述磁頭滑塊上用于與盤體配合的接觸面為平面，所述磁頭滑塊的接觸面上設有至少一層由原子級平整的二維原子晶體材料構成的覆層。
2.根據權利要求1所述的磁頭，其特征在于：所述磁頭滑塊的覆層延伸至磁頭滑塊的側面。
3.根據權利要求1或2所述的磁頭，其特征在于：所述二維原子晶體材料為石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、層狀銅氧化物中的一種。
4.根據權利要求3所述的磁頭，其特征在于：所述二維原子晶體材料為石墨烯。
5.根據權利要求3所述的磁頭，其特征在于：所述磁頭滑塊的尺寸在0.1um-1000um之間。
6.根據權利要求5所述的磁頭，其特征在于：所述磁頭滑塊的尺寸在10um-1000um之間。
7.一種硬盤設備，包括如權利要求1-6任一項所述的磁頭，其特征在于：還包括盤體，所述盤體包括磁介質層以及位于磁介質層上的具有原子級平整表面的至少一層由二維原子晶體材料或類金剛石納米膜構成的保護層。
8.根據權利要求7所述的硬盤設備，其特征在于：所述盤體保護層包括具有原子級平整的類金剛石膜。
9.根據權利要求7所述的硬盤設備，其特征在于：所述保護層的二維晶體材料為石墨烯、氮化硼、BCN、氟化石墨烯、石墨烯氧化物、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、MoTe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、NbSe2、NbS2、TaS2、TiS2、NiSe2、GaSe、GaTe、InSe、Bi2Se3、云母、BSCCO、MoO3、WO3、TiO2、MnO2、V2O5、TaO3、RuO2、LaNb2O7、(Ca，Sr)2Nb3O10、Bi4Ti3O12、Ca2Ta2TiO10、Ni(OH)2、Eu(OH)2、層狀銅氧化物中的一種。
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