[發明專利]可配置片上低壓差線性穩壓器

有效

• 申請號: 201410099580.4
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN104122920A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 朱樟明;張鵬;劉馬良;楊銀堂;陳新樂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

1.一種可配置片上低壓差線性穩壓器，其特征在于，包括：基準選擇電路、與所述基準選擇電路連接的前置穩壓器以及與所述前置穩壓器連接的主穩壓器；其中，

所述基準選擇電路用于從多路輸入基準電壓中選擇一路輸入基準電壓，輸出給所述前置穩壓器；

所述前置穩壓器用于對所述基準電壓進行穩壓和修調，并輸出第一電壓給所述主穩壓器；

所述主穩壓器用于對所述第一電壓進行穩壓和修調，得到第二電壓并輸出。

2.根據權利要求1所述的可配置片上低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述基準選擇電路包括：

用于產生參考電壓的參考電壓產生電路；

分別與所述參考電壓產生電路和一外部輸入基準電壓連接，用于將所述參考電壓與所述外部輸入基準電壓進行比較，并輸出控制信號的比較器；

分別與所述比較器、一外部輸入基準電壓和一內部輸入基準電壓連接，用于根據所述比較器輸出的控制信號選擇內部輸入基準電壓或外部輸入基準電壓并輸出給所述前置穩壓器的選擇器。

3.根據權利要求2所述的可配置片上低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述參考電壓產生電路包括：第一電阻（R1）、第二電阻（R2）和第一MOS管（M11）；其中，

所述第一電阻（R1）和第二電阻（R2）串聯后連接所述第一MOS管（M11）的漏極，所述第一MOS管（M11）的源極接地，所述第一MOS管（M11）的柵極接第一使能控制信號（EN），所述第一電阻（R1）和所述第二電阻（R2）的連接處輸出所述參考電壓（COMP_REF）。

4.根據權利要求2所述的可配置片上低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述比較器包括：第二MOS管（M12）、第三MOS管（M13）、第四MOS管（M14）、第五MOS管（M15）、第六MOS管（M16）、第七MOS管（M17）、第八MOS管（M18）、第九MOS管（M19）、第十MOS管（M110）、第十一MOS管（M111）、第十二MOS管（M112）和第十三MOS管（M113）；其中，

所述參考電壓（COMP_REF）接所述第四MOS管（M14）的柵極，外部基準電壓（EX_VREF）接所述第五MOS管（M15）的柵極，所述第四MOS管（M14）和所述第五MOS管（M15）的漏極接由所述第二MOS管（M12）和所述第三MOS管（M13）構成的電流鏡負載，所述第四MOS管（M14）和所述第五MOS管（M15）的源極連接后與所述第六MOS管（M16）的漏極連接，所述第六MOS管（M16）的源極接地，所述第三MOS管（M13）和所述第五MOS管（M15）的漏極連接并輸出第一級比較電壓；

所述第一級比較電壓接所述第十MOS管（M110）的柵極，所述第十MOS管（M110）的漏極與所述第十一MOS管（M111）的漏極連接，并輸出給所述第十二MOS管（M112）和所述第十三MOS管（M113）的柵極，所述第十二MOS管（M112）和所述第十三MOS管（M113）的漏極相連輸出第一控制信號（OUT_P），第一控制信號（OUT_P）連接一反相器輸出第二控制信號（OUT_N）；

其中，所述第九MOS管（M19）的柵極與漏極短接后一方面接所述第十一MOS管（M111）及所述第六MOS管（M16）的柵極，另一方面接所述第八MOS管（M18）漏極，所述第八MOS管（M18）的柵極接第二使能控制信號（EN_N），所述第八MOS管（M18）的源極接所述第七MOS管（M17）的柵極和漏極。

5.根據權利要求4所述的可配置片上低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述反相器包括第十四MOS管（M114）和第十五MOS管（M115）；其中，

所述第十四MOS管（M114）的柵極和第十五MOS管（M115）的柵極連接并接入所述第一控制信號（OUT_P），所述第十四MOS管（M114）的源極接一高電平，所述第十五MOS管（M115）的源極接地，所述第十四MOS管（M114）的漏極和第十五MOS管（M115）的漏極連接并輸出第二控制信號（OUT_N）。